Công ty chúng tôi cung cấpLớp phủ SiCXử lý các dịch vụ trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác bằng phương pháp CVD, cho phép các khí đặc biệt chứa carbon và silic phản ứng ở nhiệt độ cao để thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao, sau đó có thể được lắng đọng trên bề mặt vật liệu phủ để tạo thành một lớp phủ.lớp bảo vệ SiCcho loại thùng epitaxy hy pnotic.
Các tính năng chính:
1. Than chì phủ SiC có độ tinh khiết cao
2. Khả năng chịu nhiệt và độ đồng đều nhiệt vượt trội
3. Tốttinh thể SiC được phủcho bề mặt nhẵn
4. Độ bền cao khi sử dụng cùng hóa chất tẩy rửa.
Thông số kỹ thuật chính củaLớp phủ CVD-SIC
| Tính chất SiC-CVD | ||
| Cấu trúc tinh thể | Pha β của FCC | |
| Tỉ trọng | g/cm³ | 3.21 |
| Độ cứng | Độ cứng Vickers | 2500 |
| Kích thước hạt | μm | 2~10 |
| Độ tinh khiết hóa học | % | 99.99995 |
| Dung lượng nhiệt | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Nhiệt độ thăng hoa | ℃ | 2700 |
| Sức mạnh uốn cong | MPa (RT 4 điểm) | 415 |
| Mô đun Young | Gpa (uốn cong 4 điểm, 1300℃) | 430 |
| Hệ số giãn nở nhiệt (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Độ dẫn nhiệt | (W/mK) | 300 |
