Sự miêu tả
Công ty chúng tôi cung cấpLớp phủ SiCQuy trình dịch vụ được thực hiện bằng phương pháp CVD trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác, trong đó các khí đặc biệt chứa cacbon và silic phản ứng ở nhiệt độ cao để thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao. Các phân tử này được lắng đọng trên bề mặt vật liệu được phủ, tạo thành một lớp phủ.lớp bảo vệ SiC.
Các tính năng chính
1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:
Khả năng chống oxy hóa vẫn rất tốt ngay cả ở nhiệt độ cao tới 1600°C.
2. Độ tinh khiết cao: được sản xuất bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học trong điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao.
3. Khả năng chống mài mòn: độ cứng cao, bề mặt đặc chắc, hạt mịn.
4. Khả năng chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và các chất phản ứng hữu cơ.
Các thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
| Tính chất SiC-CVD | ||
| Cấu trúc tinh thể | Pha β của FCC | |
| Tỉ trọng | g/cm³ | 3.21 |
| Độ cứng | Độ cứng Vickers | 2500 |
| Kích thước hạt | μm | 2~10 |
| Độ tinh khiết hóa học | % | 99.99995 |
| Dung lượng nhiệt | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Nhiệt độ thăng hoa | ℃ | 2700 |
| Sức mạnh uốn cong | MPa (RT 4 điểm) | 415 |
| Mô đun Young | Gpa (uốn cong 4 điểm, 1300℃) | 430 |
| Hệ số giãn nở nhiệt (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Độ dẫn nhiệt | (W/mK) | 300 |
Thiết bị
