Giới thiệu về lớp phủ CVD TaC:
Lớp phủ TaC CVD là công nghệ sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học để phủ lớp cacbua tantan (TaC) lên bề mặt chất nền. Cacbua tantan là vật liệu gốm hiệu suất cao với các đặc tính cơ học và hóa học tuyệt vời. Quá trình CVD tạo ra một lớp màng TaC đồng nhất trên bề mặt chất nền thông qua phản ứng khí.
Các tính năng chính:
Độ cứng và khả năng chống mài mòn tuyệt vờiTantalum carbide có độ cứng cực cao, và lớp phủ CVD TaC có thể cải thiện đáng kể khả năng chống mài mòn của vật liệu nền. Điều này làm cho lớp phủ trở nên lý tưởng cho các ứng dụng trong môi trường mài mòn cao, chẳng hạn như dụng cụ cắt và khuôn mẫu.
Độ ổn định ở nhiệt độ caoLớp phủ TaC bảo vệ các bộ phận quan trọng của lò nung và lò phản ứng ở nhiệt độ lên đến 2200°C, thể hiện độ ổn định tốt. Nó duy trì tính ổn định hóa học và cơ học trong điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt, làm cho nó phù hợp cho quá trình xử lý ở nhiệt độ cao và các ứng dụng trong môi trường nhiệt độ cao.
Độ ổn định hóa học tuyệt vờiTantalum carbide có khả năng chống ăn mòn mạnh mẽ đối với hầu hết các axit và kiềm, và lớp phủ CVD TaC có thể ngăn ngừa hiệu quả sự hư hại cho chất nền trong môi trường ăn mòn.
Điểm nóng chảy caoTantalum carbide có điểm nóng chảy cao (khoảng 3880°C), cho phép lớp phủ CVD TaC được sử dụng trong điều kiện nhiệt độ cực cao mà không bị nóng chảy hoặc phân hủy.
Khả năng dẫn nhiệt tuyệt vờiLớp phủ TaC có độ dẫn nhiệt cao, giúp tản nhiệt hiệu quả trong các quá trình ở nhiệt độ cao và ngăn ngừa hiện tượng quá nhiệt cục bộ.
Ứng dụng tiềm năng:
• Các thành phần của lò phản ứng CVD màng mỏng Gallium Nitride (GaN) và Silicon Carbide, bao gồm giá đỡ wafer, ăng-ten vệ tinh, vòi sen, trần và bộ phận đỡ.
• Các thành phần dùng trong nuôi cấy tinh thể cacbua silic, nitrua gali và nitrua nhôm (AlN), bao gồm nồi nung, giá đỡ mầm tinh thể, vòng dẫn hướng và bộ lọc.
• Các linh kiện công nghiệp bao gồm các phần tử gia nhiệt điện trở, vòi phun, vòng che chắn và đồ gá hàn.
Tính năng ứng dụng:
• Hoạt động ổn định ở nhiệt độ trên 2000°C, cho phép vận hành ở nhiệt độ khắc nghiệt.
• Có khả năng chống lại hydro (Hz), amoniac (NH3), monosilane (SiH4) và silic (Si), cung cấp khả năng bảo vệ trong môi trường hóa chất khắc nghiệt.
• Khả năng chống sốc nhiệt giúp chu kỳ hoạt động nhanh hơn
• Than chì có độ bám dính cao, đảm bảo tuổi thọ sử dụng lâu dài và không bị bong tróc lớp phủ.
• Độ tinh khiết cực cao để loại bỏ các tạp chất hoặc chất gây ô nhiễm không cần thiết
• Lớp phủ bảo vệ đạt độ chính xác kích thước cao.
Thông số kỹ thuật:
Chế tạo lớp phủ cacbua tantan đặc bằng phương pháp CVD：
Lớp phủ TAC có độ kết tinh cao và độ đồng nhất tuyệt vời:
Thông số kỹ thuật của lớp phủ CVD TAC_Semicera:
| Tính chất vật lý của lớp phủ TaC | |
| Tỉ trọng | 14,3 (g/cm³) |
| Nồng độ tổng thể | 8 x 1015/cm |
| Độ phát xạ riêng | 0,3 |
| Hệ số giãn nở nhiệt | 6.3 10-6/K |
| Độ cứng (HK) | 2000 HK |
| Điện trở suất khối | 4,5 ohm-cm |
| Sức chống cự | 1x10-5Ohm*cm |
| Độ ổn định nhiệt | <2500℃ |
| Di chuyển | 237 cm2/Vs |
| Thay đổi kích thước than chì | -10~-20um |
| Độ dày lớp phủ | Giá trị điển hình ≥20µm (35µm + 10µm) |
Các giá trị trên là các giá trị điển hình..
