Chất nền SiC bán cách điện 4 inch 6 inch

Mô tả ngắn gọn:

Chất nền SiC bán cách điện là vật liệu bán dẫn có điện trở suất cao, có điện trở suất lớn hơn 100.000Ω·cm. Chất nền SiC bán cách điện chủ yếu được sử dụng để sản xuất các thiết bị RF vi sóng như thiết bị RF vi sóng gallium nitride và bóng bán dẫn có độ linh động điện tử cao (HEMT). Những thiết bị này chủ yếu được sử dụng trong liên lạc 5G, liên lạc vệ tinh, radar và các lĩnh vực khác.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Chất nền SiC bán cách điện 4" 6" của Semicera là vật liệu chất lượng cao được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của các ứng dụng thiết bị điện và RF. Chất nền kết hợp tính dẫn nhiệt tuyệt vời và điện áp đánh thủng cao của cacbua silic với đặc tính bán cách điện, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng để phát triển các thiết bị bán dẫn tiên tiến.

Chất nền SiC bán cách điện 4" 6" được sản xuất cẩn thận để đảm bảo vật liệu có độ tinh khiết cao và hiệu suất bán cách nhiệt ổn định. Điều này đảm bảo rằng chất nền cung cấp khả năng cách ly điện cần thiết trong các thiết bị RF như bộ khuếch đại và bóng bán dẫn, đồng thời mang lại hiệu suất nhiệt cần thiết cho các ứng dụng công suất cao. Kết quả là tạo ra một chất nền linh hoạt có thể được sử dụng trong nhiều loại sản phẩm điện tử hiệu suất cao.

Semicera nhận thấy tầm quan trọng của việc cung cấp chất nền đáng tin cậy, không có khuyết tật cho các ứng dụng bán dẫn quan trọng. Chất nền SiC bán cách điện 4" 6" của chúng tôi được sản xuất bằng kỹ thuật sản xuất tiên tiến nhằm giảm thiểu các khuyết tật về tinh thể và cải thiện tính đồng nhất của vật liệu. Điều này cho phép sản phẩm hỗ trợ sản xuất các thiết bị với hiệu suất, độ ổn định và tuổi thọ được nâng cao.

Cam kết về chất lượng của Semicera đảm bảo Chất nền SiC bán cách điện 4" 6" của chúng tôi mang lại hiệu suất ổn định và đáng tin cậy trên nhiều ứng dụng. Cho dù bạn đang phát triển các thiết bị tần số cao hay giải pháp năng lượng tiết kiệm năng lượng, chất nền SiC bán cách điện của chúng tôi sẽ cung cấp nền tảng cho sự thành công của thiết bị điện tử thế hệ tiếp theo.

Thông số cơ bản

Kích cỡ

6 inch 4 inch
Đường kính 150,0mm+0mm/-0,2mm 100,0mm+0mm/-0,5mm
Định hướng bề mặt {0001}±0,2°
Định hướng phẳng chính / <1120>±5°
Định hướng phẳng thứ cấp / Mặt silicon hướng lên:90° Tây Bắc từ mặt phẳng Prime士5°
Chiều dài phẳng chính / 32,5 mm 士 2,0 mm
Chiều dài phẳng thứ cấp / 18,0 mm và 2,0 mm
Định hướng notch <1100>±1,0° /
Định hướng notch 1,0mm+0,25 mm/-0,00 mm /
Góc khía 90°+5°/-1° /
độ dày 500.0um士25.0um
Loại dẫn điện Bán cách điện

Thông tin chất lượng tinh thể

ltem 6 inch 4 inch
Điện trở suất ≥1E9Q·cm
đa hình Không được phép
Mật độ micropipe .50,5/cm2 .30,3/cm2
Tấm lục giác bằng ánh sáng cường độ cao Không được phép
Sự tích hợp Carbon trực quan ở mức độ cao Diện tích tích lũy<0,05%
4 6 Chất nền SiC bán cách điện-2

Điện trở suất-Được kiểm tra bằng điện trở của tấm không tiếp xúc.

4 6 Chất nền SiC bán cách điện-3

Mật độ micropipe

4 6 Chất nền SiC bán cách điện-4
tấm wafer SiC

  • Trước:
  • Kế tiếp: