Bộ phận epiticular MOCVD

Quy trình phủ SiC cho chất mang than chì phủ SiC
Epitaxy GaN dựa trên silicon
Đĩa epiticular silicon đơn tinh thể phủ SiC bán dẫn
Chất nhạy cảm than chì với lớp phủ silicon cacbua, chất mang wafer 8 inch
19 bộ phận thiết bị MOCVD đế than chì 2 inch
Chất nhạy cảm than chì với lớp phủ silicon cacbua, 6 miếng wafer 6 inch
Đĩa cacbua silic cho MOCVD
Khay MOCVD phủ SiC có độ tinh khiết cao chống oxy hóa
41 bộ phận thiết bị MOCVD đế than chì 4 inch
36 bộ phận thiết bị MOCVD đế than chì 4 inch
Epitaxy LED xanh lam / xanh lục