Thỏi SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao 4 inch 6 inch

Mô tả ngắn gọn:

Các thỏi SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao 4”6” của Semicera được chế tạo tỉ mỉ cho các ứng dụng điện tử và quang điện tử tiên tiến. Với tính dẫn nhiệt và điện trở suất vượt trội, những thỏi này cung cấp nền tảng vững chắc cho các thiết bị hiệu suất cao. Semicera đảm bảo chất lượng và độ tin cậy nhất quán trong mọi sản phẩm.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Các thỏi SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao 4”6” của Semicera được thiết kế để đáp ứng các tiêu chuẩn chính xác của ngành bán dẫn. Những thỏi này được sản xuất tập trung vào độ tinh khiết và tính nhất quán, khiến chúng trở thành lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao và tần số cao trong đó hiệu suất là điều tối quan trọng.

Các đặc tính độc đáo của các thỏi SiC này, bao gồm độ dẫn nhiệt cao và điện trở suất tuyệt vời, khiến chúng đặc biệt phù hợp để sử dụng trong các thiết bị điện tử công suất và vi sóng. Bản chất bán cách điện của chúng cho phép tản nhiệt hiệu quả và giảm thiểu nhiễu điện, giúp tạo ra các bộ phận hiệu quả và đáng tin cậy hơn.

Semicera sử dụng các quy trình sản xuất hiện đại để tạo ra các thỏi có chất lượng tinh thể vượt trội và tính đồng nhất. Độ chính xác này đảm bảo rằng mỗi thỏi có thể được sử dụng một cách đáng tin cậy trong các ứng dụng nhạy cảm, chẳng hạn như bộ khuếch đại tần số cao, điốt laser và các thiết bị quang điện tử khác.

Có sẵn ở cả hai kích cỡ 4 inch và 6 inch, phôi SiC của Semicera mang đến sự linh hoạt cần thiết cho các quy mô sản xuất và yêu cầu công nghệ khác nhau. Dù dùng cho mục đích nghiên cứu và phát triển hay sản xuất hàng loạt, những thỏi này đều mang lại hiệu suất và độ bền mà các hệ thống điện tử hiện đại yêu cầu.

Bằng cách chọn Thỏi SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao của Semicera, bạn đang đầu tư vào một sản phẩm kết hợp khoa học vật liệu tiên tiến với chuyên môn sản xuất tuyệt vời. Semicera tận tâm hỗ trợ sự đổi mới và tăng trưởng của ngành bán dẫn, cung cấp các vật liệu cho phép phát triển các thiết bị điện tử tiên tiến.

Mặt hàng

Sản xuất

Nghiên cứu

giả

Thông số tinh thể

đa hình

4H

Lỗi định hướng bề mặt

<11-20 >4±0,15°

Thông số điện

Dopant

Nitơ loại n

Điện trở suất

0,015-0,025ohm·cm

Thông số cơ học

Đường kính

150,0±0,2mm

độ dày

350±25 mm

Hướng phẳng chính

[1-100]±5°

Chiều dài phẳng chính

47,5 ± 1,5mm

Căn hộ thứ cấp

Không có

TTV

5 mm

10 mm

15 mm

LTV

3 mm(5mm*5mm)

5 mm(5mm*5mm)

10 m(5mm*5mm)

Cây cung

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Làm cong vênh

35 mm

45 mm

55 mm

Độ nhám mặt trước (Si-face) (AFM)

Ra 0,2nm (5μm * 5μm)

Kết cấu

Mật độ micropipe

<1 cái/cm2

<10 cái/cm2

<15 cái/cm2

Tạp chất kim loại

5E10 nguyên tử/cm2

NA

BPD

1500 cái/cm2

3000 cái/cm2

NA

TSD

500 cái/cm2

1000 cái/cm2

NA

Chất lượng mặt trước

Đằng trước

Si

Bề mặt hoàn thiện

Si-mặt CMP

hạt

60ea/bánh xốp (kích thước ≥0,3μm)

NA

Vết xước

5ea/mm. Chiều dài tích lũy ≤ Đường kính

Chiều dài tích lũy<2*Đường kính

NA

Vỏ cam/hố/vết bẩn/vết nứt/vết nứt/nhiễm bẩn

Không có

NA

Chip cạnh/vết lõm/gãy/tấm lục giác

Không có

Khu vực đa dạng

Không có

Diện tích tích lũy<20%

Diện tích tích lũy<30%

Đánh dấu laser phía trước

Không có

Trở lại Chất lượng

Kết thúc trở lại

CMP mặt chữ C

Vết xước

5ea / mm, Chiều dài tích lũy 2 * Đường kính

NA

Khuyết tật ở mặt sau (lỗi ở cạnh/vết lõm)

Không có

Độ nhám lưng

Ra 0,2nm (5μm * 5μm)

Đánh dấu laser phía sau

1 mm (từ cạnh trên)

Bờ rìa

Bờ rìa

vát mép

Bao bì

Bao bì

Sẵn sàng cho Epi với bao bì chân không

Bao bì cassette nhiều wafer

*Lưu ý: "NA" nghĩa là không có yêu cầu. Các mục không được đề cập có thể ám chỉ SEMI-STD.

tech_1_2_size
tấm wafer SiC

  • Trước:
  • Kế tiếp: