Chất nền SiC dẫn điện loại n 8lnch

Mô tả ngắn gọn:

Chất nền SiC loại n 8 inch là chất nền đơn tinh thể silicon cacbua (SiC) loại n tiên tiến có đường kính từ 195 đến 205 mm và độ dày từ 300 đến 650 micron. Chất nền này có nồng độ pha tạp cao và đặc tính nồng độ được tối ưu hóa cẩn thận, mang lại hiệu suất tuyệt vời cho nhiều ứng dụng bán dẫn.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Chất nền SiC dẫn điện loại n 8 lnch cung cấp hiệu suất tuyệt vời cho các thiết bị điện tử công suất, mang lại độ dẫn nhiệt tuyệt vời, điện áp đánh thủng cao và chất lượng tuyệt vời cho các ứng dụng bán dẫn tiên tiến. Semicera cung cấp các giải pháp hàng đầu trong ngành với Chất nền SiC dẫn điện loại n 8 lnch được thiết kế.

Chất nền SiC dẫn điện loại n 8 lnch của Semicera là vật liệu tiên tiến được thiết kế để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của điện tử công suất và các ứng dụng bán dẫn hiệu suất cao. Chất nền kết hợp các ưu điểm của cacbua silic và độ dẫn điện loại n để mang lại hiệu suất chưa từng có trong các thiết bị yêu cầu mật độ năng lượng, hiệu suất nhiệt và độ tin cậy cao.

Chất nền SiC dẫn điện loại n 8 lnch của Semicera được chế tạo cẩn thận để đảm bảo chất lượng và tính nhất quán vượt trội. Nó có tính năng dẫn nhiệt tuyệt vời để tản nhiệt hiệu quả, lý tưởng cho các ứng dụng năng lượng cao như bộ biến tần, điốt và bóng bán dẫn. Ngoài ra, điện áp đánh thủng cao của chất nền này đảm bảo nó có thể chịu được các điều kiện khắt khe, cung cấp nền tảng vững chắc cho các thiết bị điện tử hiệu suất cao.

Semicera nhận thấy vai trò quan trọng của Chất nền SiC dẫn điện loại n 8 lnch trong sự tiến bộ của công nghệ bán dẫn. Chất nền của chúng tôi được sản xuất bằng quy trình tiên tiến để đảm bảo mật độ khuyết tật tối thiểu, điều này rất quan trọng để phát triển các thiết bị hiệu quả. Sự chú ý đến từng chi tiết này cho phép các sản phẩm hỗ trợ sản xuất thiết bị điện tử thế hệ tiếp theo có hiệu suất và độ bền cao hơn.

Chất nền SiC dẫn điện loại n 8 lnch của chúng tôi cũng được thiết kế để đáp ứng nhu cầu của nhiều ứng dụng từ ô tô đến năng lượng tái tạo. Độ dẫn điện loại n cung cấp các đặc tính điện cần thiết để phát triển các thiết bị điện hiệu quả, khiến chất nền này trở thành thành phần quan trọng trong quá trình chuyển đổi sang các công nghệ tiết kiệm năng lượng hơn.

Tại Semicera, chúng tôi cam kết cung cấp chất nền thúc đẩy sự đổi mới trong sản xuất chất bán dẫn. Chất nền SiC dẫn điện loại n 8 lnch là minh chứng cho sự cống hiến của chúng tôi cho chất lượng và sự xuất sắc, đảm bảo khách hàng của chúng tôi nhận được vật liệu tốt nhất có thể cho các ứng dụng của họ.

Thông số cơ bản

Kích cỡ 8 inch
Đường kính 200.0mm+0mm/-0.2mm
Định hướng bề mặt ngoài trục: 4° về phía <1120> 士 0,5°
Định hướng notch <1100>士1°
Góc khía 90°+5°/-1°
Độ sâu notch 1mm+0,25mm/-0mm
Căn hộ thứ cấp /
độ dày 500,0士25,0um/350,0±25,0um
đa hình 4H
Loại dẫn điện loại n

 

8lnch loại n sic Chất nền-2
tấm wafer SiC

  • Trước:
  • Kế tiếp: