Lắng đọng lớp nguyên tử (ALD) là một công nghệ lắng đọng hơi hóa học giúp phát triển từng lớp màng mỏng bằng cách tiêm xen kẽ hai hoặc nhiều phân tử tiền chất. ALD có ưu điểm là khả năng điều khiển và tính đồng nhất cao, có thể được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị bán dẫn, thiết bị quang điện tử, thiết bị lưu trữ năng lượng và các lĩnh vực khác. Các nguyên tắc cơ bản của ALD bao gồm hấp phụ tiền chất, phản ứng bề mặt và loại bỏ sản phẩm phụ và vật liệu nhiều lớp có thể được hình thành bằng cách lặp lại các bước này trong một chu trình. ALD có các đặc điểm và ưu điểm là khả năng kiểm soát cao, tính đồng nhất và cấu trúc không xốp, có thể được sử dụng để lắng đọng nhiều loại vật liệu nền và vật liệu khác nhau.
ALD có những đặc điểm và ưu điểm sau:
1. Khả năng kiểm soát cao:Vì ALD là quá trình tăng trưởng từng lớp nên độ dày và thành phần của từng lớp vật liệu có thể được kiểm soát chính xác.
2. Tính đồng nhất:ALD có thể lắng đọng vật liệu đồng đều trên toàn bộ bề mặt nền, tránh tình trạng không đồng đều có thể xảy ra ở các công nghệ lắng đọng khác.
3. Cấu trúc không xốp:Vì ALD được lắng đọng trong các đơn vị nguyên tử hoặc phân tử đơn lẻ nên màng tạo thành thường có cấu trúc dày đặc, không xốp.
4. Hiệu suất phủ sóng tốt:ALD có thể bao phủ hiệu quả các cấu trúc có tỷ lệ khung hình cao, chẳng hạn như mảng lỗ nano, vật liệu có độ xốp cao, v.v.
5. Khả năng mở rộng:ALD có thể được sử dụng cho nhiều loại vật liệu nền, bao gồm kim loại, chất bán dẫn, thủy tinh, v.v.
6. Tính linh hoạt:Bằng cách chọn các phân tử tiền chất khác nhau, nhiều loại vật liệu khác nhau có thể được lắng đọng trong quá trình ALD, chẳng hạn như oxit kim loại, sunfua, nitrua, v.v..
