Bột SiC có độ tinh khiết cao

Mô tả ngắn gọn:

Bột SiC có độ tinh khiết cao của Semicera tự hào có hàm lượng carbon và silicon đặc biệt cao, với mức độ tinh khiết từ 4N đến 6N. Với kích thước hạt từ nanomet đến micromet, nó có diện tích bề mặt riêng lớn. Bột SiC của Semicera tăng cường khả năng phản ứng, độ phân tán và hoạt động bề mặt, lý tưởng cho các ứng dụng vật liệu tiên tiến.

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Cacbua silic (SiC)đang nhanh chóng trở thành lựa chọn được ưu tiên hơn silicon cho các linh kiện điện tử, đặc biệt là trong các ứng dụng băng thông rộng. SiC mang lại hiệu quả sử dụng năng lượng nâng cao, kích thước nhỏ gọn, trọng lượng giảm và chi phí tổng thể của hệ thống thấp hơn.

 Nhu cầu về bột SiC có độ tinh khiết cao trong ngành công nghiệp điện tử và bán dẫn đã thúc đẩy Semicera phát triển loại bột có độ tinh khiết cao vượt trộibột SiC. Phương pháp cải tiến của Semicera để sản xuất SiC có độ tinh khiết cao tạo ra các loại bột có sự thay đổi hình thái mượt mà hơn, tiêu thụ nguyên liệu chậm hơn và giao diện tăng trưởng ổn định hơn trong thiết lập tăng trưởng tinh thể.

 Bột SiC có độ tinh khiết cao của chúng tôi có nhiều kích cỡ khác nhau và có thể được tùy chỉnh để đáp ứng các yêu cầu cụ thể của khách hàng. Để biết thêm chi tiết và thảo luận về dự án của bạn, vui lòng liên hệ với Semicera.

 

1. Phạm vi kích thước hạt:

Bao phủ quy mô submicron đến milimet.

năng lượng cacbua silic_Samicera-1
năng lượng cacbua silic_Samicera-3
năng lượng cacbua silic_Semiara-2
năng lượng cacbua silic_Samicera-4

2. Độ tinh khiết của bột

độ tinh khiết năng lượng cacbua silic_Semiara1
độ tinh khiết năng lượng cacbua silic_Semiara2

Báo cáo thử nghiệm 4N

3. Tinh thể bột

Bao phủ quy mô submicron đến milimet.

năng lượng cacbua silic_Samicera-5
năng lượng cacbua silic_Samicera-6

4. Hình thái vi mô

3
4

5. Hình thái vĩ mô

5

  • Trước:
  • Kế tiếp: