Các bộ phận CARBIDE SILICON CVD rắn được công nhận là lựa chọn chính cho các vòng và đế RTP/EPI cũng như các bộ phận khoang plasm aetch hoạt động ở nhiệt độ vận hành yêu cầu hệ thống cao (>1500oC), yêu cầu về độ tinh khiết đặc biệt cao (>99,9995%) và hiệu suất đặc biệt tốt khi khả năng kháng hóa chất đặc biệt cao. Những vật liệu này không chứa pha thứ cấp ở rìa hạt nên thành phần của chúng tạo ra ít hạt hơn các vật liệu khác. Ngoài ra, các bộ phận này có thể được làm sạch bằng cách sử dụng HF/HCl nóng mà ít bị phân hủy, tạo ra ít hạt hơn và tuổi thọ dài hơn.
