Chất bán dẫn:
Ngành công nghiệp bán dẫn tuân theo quy luật công nghiệp “một thế hệ công nghệ, một thế hệ quy trình và một thế hệ thiết bị”, việc nâng cấp và lặp lại thiết bị bán dẫn phụ thuộc phần lớn vào sự đột phá về công nghệ của các bộ phận chính xác. Trong số đó, các bộ phận gốm chính xác là vật liệu bộ phận bán dẫn chính xác tiêu biểu nhất, có ứng dụng quan trọng trong một loạt các liên kết sản xuất chất bán dẫn chính như lắng đọng hơi hóa học, lắng đọng hơi vật lý, cấy ion và khắc. Chẳng hạn như vòng bi, ray dẫn hướng, lớp lót, mâm cặp tĩnh điện, tay điều khiển cơ khí, v.v. Đặc biệt bên trong khoang thiết bị, nó đóng vai trò hỗ trợ, bảo vệ và chuyển hướng.
Kể từ năm 2023, Hà Lan và Nhật Bản cũng liên tiếp ban hành các quy định mới hoặc nghị định ngoại thương về kiểm soát, bổ sung quy định cấp phép xuất khẩu cho thiết bị bán dẫn trong đó có máy in thạch bản, và xu hướng chống toàn cầu hóa bán dẫn dần xuất hiện. Tầm quan trọng của việc kiểm soát độc lập chuỗi cung ứng ngày càng trở nên nổi bật. Trước nhu cầu nội địa hóa các bộ phận thiết bị bán dẫn, các công ty trong nước đang tích cực thúc đẩy phát triển công nghiệp. Zhongci Electronics đã thực hiện nội địa hóa các bộ phận có độ chính xác công nghệ cao như tấm gia nhiệt và mâm cặp tĩnh điện, giải quyết vấn đề “nút cổ chai” của ngành thiết bị bán dẫn trong nước; Dezhi New Materials, nhà cung cấp hàng đầu trong nước về đế than chì phủ SiC và vòng khắc SiC, đã hoàn tất thành công khoản tài trợ 100 triệu nhân dân tệ, v.v…..
Chất nền gốm silicon nitride có độ dẫn điện cao:
Chất nền gốm silicon nitride chủ yếu được sử dụng trong các bộ nguồn, thiết bị bán dẫn và bộ biến tần của xe điện thuần túy (EV) và xe điện hybrid (HEV), đồng thời có tiềm năng thị trường và triển vọng ứng dụng rất lớn.
Hiện nay, vật liệu nền gốm silicon nitride dẫn nhiệt cao cho các ứng dụng thương mại yêu cầu độ dẫn nhiệt ≥85 W/(m·K), cường độ uốn ≥650MPa và độ bền đứt gãy 5~7MPa·m1/2. Các công ty thực sự có khả năng sản xuất hàng loạt chất nền gốm silicon nitride dẫn nhiệt cao chủ yếu là Tập đoàn Toshiba, Hitachi Metals, Japan Electric Chemical, Japan Maruwa và Japan Fine Ceramics.
Nghiên cứu trong nước về vật liệu nền gốm silicon nitride cũng đã đạt được một số tiến bộ. Độ dẫn nhiệt của chất nền gốm silicon nitride được điều chế bằng quy trình đúc băng của Chi nhánh Bắc Kinh của Công ty TNHH Gốm sứ Nitride công nghệ cao Sinoma là 100 W/(m·K); Công ty TNHH Viện nghiên cứu tinh thể nhân tạo Sinoma Bắc Kinh đã điều chế thành công chất nền gốm silicon nitride có độ bền uốn 700-800MPa, độ bền đứt gãy ≥8MPa·m1/2 và độ dẫn nhiệt ≥80W/(m·K) bằng cách tối ưu hóa phương pháp và quy trình thiêu kết.
Thời gian đăng: 29-10-2024