-
Quy trình sản xuất bột SiC chất lượng cao
Cacbua silic (SiC) là một hợp chất vô cơ được biết đến với những đặc tính đặc biệt. SiC xuất hiện tự nhiên, được gọi là moissanite, khá hiếm. Trong các ứng dụng công nghiệp, cacbua silic chủ yếu được sản xuất thông qua các phương pháp tổng hợp. Tại Semicera Semiconductor, chúng tôi tận dụng công nghệ tiên tiến...Đọc thêm -
Kiểm soát tính đồng nhất của điện trở xuyên tâm trong quá trình kéo tinh thể
Những lý do chính ảnh hưởng đến tính đồng nhất của điện trở suất xuyên tâm của các tinh thể đơn lẻ là độ phẳng của giao diện rắn-lỏng và hiệu ứng mặt phẳng nhỏ trong quá trình phát triển tinh thể Ảnh hưởng của độ phẳng của giao diện rắn-lỏng Trong quá trình phát triển tinh thể, nếu tan chảy được khuấy đều , cái...Đọc thêm -
Tại sao lò đơn tinh thể từ trường có thể cải thiện chất lượng của tinh thể đơn
Vì nồi nấu kim loại được sử dụng làm vật chứa và có sự đối lưu bên trong nên khi kích thước của đơn tinh thể được tạo ra tăng lên, sự đối lưu nhiệt và độ đồng nhất gradient nhiệt độ trở nên khó kiểm soát hơn. Bằng cách thêm từ trường để làm cho sự tan chảy dẫn điện tác dụng lên lực Lorentz, sự đối lưu có thể...Đọc thêm -
Tăng trưởng nhanh chóng các tinh thể đơn SiC sử dụng nguồn khối CVD-SiC bằng phương pháp thăng hoa
Sự tăng trưởng nhanh chóng của tinh thể đơn SiC sử dụng nguồn số lượng lớn CVD-SiC thông qua phương pháp thăng hoaBằng cách sử dụng các khối CVD-SiC tái chế làm nguồn SiC, tinh thể SiC đã được phát triển thành công với tốc độ 1,46 mm/h thông qua phương pháp PVT. Mật độ vi ống và sự lệch vị trí của tinh thể phát triển cho thấy rằng...Đọc thêm -
Nội dung được tối ưu hóa và dịch trên thiết bị tăng trưởng epiticular Silicon Carbide
Chất nền cacbua silic (SiC) có nhiều khuyết tật cản trở quá trình xử lý trực tiếp. Để tạo ra các tấm chip, một màng đơn tinh thể cụ thể phải được phát triển trên đế SiC thông qua quy trình epiticular. Lớp màng này được gọi là lớp epitaxy. Gần như tất cả các thiết bị SiC đều được thực hiện trên epiticular...Đọc thêm -
Vai trò quan trọng và các trường hợp ứng dụng của chất nhạy cảm than chì phủ SiC trong sản xuất chất bán dẫn
Semicera Semiconductor có kế hoạch tăng cường sản xuất các thành phần cốt lõi cho thiết bị sản xuất chất bán dẫn trên toàn cầu. Đến năm 2027, chúng tôi đặt mục tiêu thành lập nhà máy mới rộng 20.000 m2 với tổng vốn đầu tư 70 triệu USD. Một trong những thành phần cốt lõi của chúng tôi, tấm wafer silicon cacbua (SiC)...Đọc thêm -
Tại sao chúng ta cần thực hiện epitaxy trên đế wafer silicon?
Trong chuỗi công nghiệp bán dẫn, đặc biệt là trong chuỗi công nghiệp bán dẫn thế hệ thứ ba (chất bán dẫn dải rộng), có chất nền và lớp epiticular. Tầm quan trọng của lớp epitaxy là gì? Sự khác biệt giữa chất nền và chất nền là gì? Chất nền...Đọc thêm -
Quy trình sản xuất chất bán dẫn – Công nghệ Etch
Cần phải thực hiện hàng trăm quy trình để biến tấm wafer thành chất bán dẫn. Một trong những quy trình quan trọng nhất là khắc - nghĩa là khắc các mẫu mạch điện tinh xảo trên tấm bán dẫn. Sự thành công của quá trình khắc phụ thuộc vào việc quản lý các biến khác nhau trong phạm vi phân phối đã đặt và mỗi lần khắc...Đọc thêm -
Vật liệu lý tưởng cho vòng lấy nét trong thiết bị khắc plasma: Silicon Carbide (SiC)
Trong thiết bị khắc plasma, các bộ phận bằng gốm đóng vai trò quan trọng, bao gồm cả vòng lấy nét. Vòng lấy nét, được đặt xung quanh tấm bán dẫn và tiếp xúc trực tiếp với nó, rất cần thiết để tập trung plasma vào tấm bán dẫn bằng cách đặt điện áp vào vòng. Điều này nâng cao sự không...Đọc thêm -
Front End of Line (FEOL): Đặt nền móng
Phần đầu của dây chuyền sản xuất giống như việc đặt nền móng và xây tường của một ngôi nhà. Trong sản xuất chất bán dẫn, giai đoạn này liên quan đến việc tạo ra các cấu trúc cơ bản và bóng bán dẫn trên tấm bán dẫn silicon. Các bước chính của FEOL: ...Đọc thêm -
Ảnh hưởng của quá trình xử lý tinh thể đơn cacbua silic đến chất lượng bề mặt wafer
Các thiết bị điện bán dẫn chiếm vị trí cốt lõi trong các hệ thống điện tử công suất, đặc biệt trong bối cảnh phát triển nhanh chóng của các công nghệ như trí tuệ nhân tạo, truyền thông 5G và phương tiện sử dụng năng lượng mới, yêu cầu về hiệu suất đối với chúng ngày càng cao.Đọc thêm -
Vật liệu cốt lõi cho sự phát triển của SiC: Lớp phủ cacbua tantalum
Hiện nay, thế hệ chất bán dẫn thứ ba chủ yếu là cacbua silic. Trong cơ cấu giá thành các thiết bị của hãng, chất nền chiếm 47% và chất epit Wax chiếm 23%. Cả hai cùng nhau chiếm khoảng 70%, đây là phần quan trọng nhất trong quá trình sản xuất thiết bị cacbua silic...Đọc thêm