-
Quy trình sản xuất chất bán dẫn – Công nghệ Etch
Cần phải thực hiện hàng trăm quy trình để biến tấm wafer thành chất bán dẫn. Một trong những quy trình quan trọng nhất là khắc - nghĩa là khắc các mẫu mạch điện tinh xảo trên tấm bán dẫn. Sự thành công của quá trình khắc phụ thuộc vào việc quản lý các biến khác nhau trong phạm vi phân phối đã đặt và mỗi lần khắc...Đọc thêm -
Vật liệu lý tưởng cho vòng lấy nét trong thiết bị khắc plasma: Silicon Carbide (SiC)
Trong thiết bị khắc plasma, các bộ phận bằng gốm đóng vai trò quan trọng, bao gồm cả vòng lấy nét. Vòng lấy nét, được đặt xung quanh tấm bán dẫn và tiếp xúc trực tiếp với nó, rất cần thiết để tập trung plasma vào tấm bán dẫn bằng cách đặt điện áp vào vòng. Điều này nâng cao sự không...Đọc thêm -
Front End of Line (FEOL): Đặt nền móng
Phần đầu của dây chuyền sản xuất giống như việc đặt nền móng và xây tường của một ngôi nhà. Trong sản xuất chất bán dẫn, giai đoạn này liên quan đến việc tạo ra các cấu trúc cơ bản và bóng bán dẫn trên tấm bán dẫn silicon. Các bước chính của FEOL: ...Đọc thêm -
Ảnh hưởng của quá trình xử lý tinh thể đơn cacbua silic đến chất lượng bề mặt wafer
Các thiết bị điện bán dẫn chiếm vị trí cốt lõi trong các hệ thống điện tử công suất, đặc biệt trong bối cảnh phát triển nhanh chóng của các công nghệ như trí tuệ nhân tạo, truyền thông 5G và phương tiện sử dụng năng lượng mới, yêu cầu về hiệu suất đối với chúng ngày càng cao.Đọc thêm -
Vật liệu cốt lõi cho sự phát triển của SiC: Lớp phủ cacbua tantalum
Hiện nay, thế hệ chất bán dẫn thứ ba chủ yếu là cacbua silic. Trong cơ cấu giá thành các thiết bị của hãng, chất nền chiếm 47% và chất epit Wax chiếm 23%. Cả hai cùng nhau chiếm khoảng 70%, đây là phần quan trọng nhất trong quá trình sản xuất thiết bị cacbua silic...Đọc thêm -
Làm thế nào để các sản phẩm phủ tantalum cacbua tăng cường khả năng chống ăn mòn của vật liệu?
Lớp phủ cacbua tantalum là công nghệ xử lý bề mặt thường được sử dụng, có thể cải thiện đáng kể khả năng chống ăn mòn của vật liệu. Lớp phủ cacbua tantali có thể được gắn vào bề mặt chất nền thông qua các phương pháp chuẩn bị khác nhau, chẳng hạn như lắng đọng hơi hóa học, vật lý...Đọc thêm -
Hôm qua, Ban Đổi mới Khoa học và Công nghệ đã đưa ra thông báo rằng Huazhuo Precision Technology đã chấm dứt IPO!
Vừa công bố cung cấp thiết bị ủ laser SIC 8 inch đầu tiên tại Trung Quốc, cũng là công nghệ của Tsinghua; Tại sao họ lại tự mình rút tài liệu? Chỉ đôi lời: Thứ nhất, sản phẩm quá đa dạng! Thoạt nhìn, tôi không biết họ làm gì. Hiện tại, H...Đọc thêm -
Lớp phủ silicon cacbua CVD-2
Lớp phủ cacbua silic CVD 1. Tại sao có lớp phủ cacbua silic Lớp epiticular là một màng mỏng đơn tinh thể cụ thể được phát triển trên cơ sở tấm wafer thông qua quy trình epiticular. Tấm wafer nền và màng mỏng epiticular được gọi chung là tấm wafer epiticular. Trong số đó,...Đọc thêm -
Quá trình chuẩn bị lớp phủ SIC
Hiện nay, các phương pháp chuẩn bị lớp phủ SiC chủ yếu bao gồm phương pháp gel-sol, phương pháp nhúng, phương pháp phủ chổi, phương pháp phun plasma, phương pháp phản ứng hơi hóa học (CVR) và phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD). Phương pháp nhúng Phương pháp này là một loại phương pháp pha rắn nhiệt độ cao.Đọc thêm -
Lớp phủ silicon cacbua CVD-1
CVD SiC Lắng đọng hơi hóa học (CVD) là một quá trình lắng đọng chân không được sử dụng để sản xuất vật liệu rắn có độ tinh khiết cao. Quá trình này thường được sử dụng trong lĩnh vực sản xuất chất bán dẫn để tạo thành các màng mỏng trên bề mặt tấm wafer. Trong quá trình điều chế SiC bằng CVD, chất nền được...Đọc thêm -
Phân tích cấu trúc trật khớp trong tinh thể SiC bằng mô phỏng dò tia được hỗ trợ bởi hình ảnh tôpô tia X
Cơ sở nghiên cứu Tầm quan trọng của ứng dụng cacbua silic (SiC): Là vật liệu bán dẫn có khe cấm rộng, cacbua silic đã thu hút nhiều sự chú ý nhờ các đặc tính điện tuyệt vời của nó (chẳng hạn như khe cấm lớn hơn, tốc độ bão hòa electron cao hơn và độ dẫn nhiệt). Những chỗ dựa này...Đọc thêm -
Quy trình chuẩn bị tinh thể mầm trong tăng trưởng đơn tinh thể SiC 3
Xác minh sự tăng trưởng Các tinh thể hạt silicon cacbua (SiC) đã được chuẩn bị theo quy trình đã phác thảo và được xác nhận thông qua sự phát triển của tinh thể SiC. Nền tảng tăng trưởng được sử dụng là lò tăng trưởng cảm ứng SiC tự phát triển với nhiệt độ tăng trưởng 2200oC, áp suất tăng trưởng 200 Pa và tốc độ tăng trưởng...Đọc thêm