Tin tức

  • Quy trình chuẩn bị tinh thể hạt giống trong quá trình tăng trưởng tinh thể đơn SiC (Phần 2)

    Quy trình chuẩn bị tinh thể hạt giống trong quá trình tăng trưởng tinh thể đơn SiC (Phần 2)

    2. Quy trình thí nghiệm 2.1 Bảo dưỡng màng dính Người ta quan sát thấy rằng việc trực tiếp tạo màng carbon hoặc liên kết bằng giấy than chì trên tấm wafer SiC được phủ chất kết dính đã dẫn đến một số vấn đề: 1. Trong điều kiện chân không, màng dính trên tấm wafer SiC phát triển hình dạng giống như vảy do để ký...
    Đọc thêm
  • Quá trình chuẩn bị tinh thể hạt giống trong quá trình tăng trưởng tinh thể đơn SiC

    Quá trình chuẩn bị tinh thể hạt giống trong quá trình tăng trưởng tinh thể đơn SiC

    Vật liệu cacbua silic (SiC) có ưu điểm là dải rộng, độ dẫn nhiệt cao, cường độ trường đánh thủng tới hạn cao và tốc độ trôi electron bão hòa cao, khiến nó có triển vọng cao trong lĩnh vực sản xuất chất bán dẫn. Các tinh thể đơn SiC thường được sản xuất thông qua...
    Đọc thêm
  • Các phương pháp đánh bóng wafer là gì?

    Các phương pháp đánh bóng wafer là gì?

    Trong tất cả các quy trình liên quan đến việc tạo ra một con chip, số phận cuối cùng của tấm bán dẫn là được cắt thành từng khuôn riêng lẻ và đóng gói trong các hộp nhỏ, kín chỉ có một vài chân cắm lộ ra ngoài. Con chip sẽ được đánh giá dựa trên các giá trị ngưỡng, điện trở, dòng điện và điện áp của nó, nhưng sẽ không có ai xem xét ...
    Đọc thêm
  • Giới thiệu cơ bản về quá trình tăng trưởng epiticular SiC

    Giới thiệu cơ bản về quá trình tăng trưởng epiticular SiC

    Lớp epiticular là một màng tinh thể đơn cụ thể được phát triển trên wafer bằng quy trình ep·iticular, và wafer nền và màng epiticular được gọi là wafer epiticular. Bằng cách phát triển lớp epiticular silic cacbua trên nền cacbua silic dẫn điện, lớp epiticular đồng nhất cacbua silic...
    Đọc thêm
  • Những điểm chính của kiểm soát chất lượng quy trình đóng gói bán dẫn

    Những điểm chính của kiểm soát chất lượng quy trình đóng gói bán dẫn

    Những điểm chính để kiểm soát chất lượng trong quy trình đóng gói chất bán dẫn Hiện nay, công nghệ xử lý bao bì bán dẫn đã được cải tiến và tối ưu hóa đáng kể. Tuy nhiên, nhìn từ góc độ tổng thể, các quy trình và phương pháp đóng gói chất bán dẫn vẫn chưa đạt đến mức hoàn hảo nhất...
    Đọc thêm
  • Những thách thức trong quy trình đóng gói chất bán dẫn

    Những thách thức trong quy trình đóng gói chất bán dẫn

    Các kỹ thuật đóng gói bán dẫn hiện nay đang dần được cải thiện, nhưng mức độ áp dụng thiết bị và công nghệ tự động trong đóng gói bán dẫn sẽ trực tiếp quyết định việc hiện thực hóa các kết quả mong đợi. Các quy trình đóng gói chất bán dẫn hiện tại vẫn bị ảnh hưởng...
    Đọc thêm
  • Nghiên cứu và phân tích quy trình đóng gói chất bán dẫn

    Nghiên cứu và phân tích quy trình đóng gói chất bán dẫn

    Tổng quan về quy trình bán dẫnQuy trình bán dẫn chủ yếu liên quan đến việc áp dụng công nghệ chế tạo vi mô và màng để kết nối đầy đủ các chip và các thành phần khác trong các khu vực khác nhau, chẳng hạn như chất nền và khung. Điều này tạo điều kiện thuận lợi cho việc tách các đầu cuối chì và đóng gói bằng...
    Đọc thêm
  • Xu hướng mới trong ngành bán dẫn: Ứng dụng công nghệ lớp phủ bảo vệ

    Xu hướng mới trong ngành bán dẫn: Ứng dụng công nghệ lớp phủ bảo vệ

    Ngành công nghiệp bán dẫn đang chứng kiến ​​​​sự tăng trưởng chưa từng có, đặc biệt là trong lĩnh vực điện tử công suất cacbua silic (SiC). Với nhiều nhà máy sản xuất tấm bán dẫn quy mô lớn đang được xây dựng hoặc mở rộng để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về thiết bị SiC trong xe điện, ...
    Đọc thêm
  • Các bước chính trong quá trình xử lý chất nền SiC là gì?

    Các bước chính trong quá trình xử lý chất nền SiC là gì?

    Cách chúng tôi sản xuất các bước xử lý chất nền SiC như sau: 1. Định hướng tinh thể: Sử dụng nhiễu xạ tia X để định hướng phôi tinh thể. Khi chùm tia X hướng vào mặt tinh thể mong muốn, góc của chùm tia nhiễu xạ sẽ xác định hướng tinh thể...
    Đọc thêm
  • Một vật liệu quan trọng quyết định chất lượng tăng trưởng của silicon đơn tinh thể – trường nhiệt

    Một vật liệu quan trọng quyết định chất lượng tăng trưởng của silicon đơn tinh thể – trường nhiệt

    Quá trình tăng trưởng của silicon đơn tinh thể hoàn toàn được thực hiện trong trường nhiệt. Trường nhiệt tốt có lợi cho việc cải thiện chất lượng tinh thể và có hiệu suất kết tinh cao. Thiết kế của trường nhiệt quyết định phần lớn sự thay đổi, thay đổi...
    Đọc thêm
  • Tăng trưởng epiticular là gì?

    Tăng trưởng epiticular là gì?

    Tăng trưởng epiticular là một công nghệ phát triển một lớp tinh thể đơn trên một chất nền tinh thể (chất nền) có cùng hướng tinh thể với chất nền, như thể tinh thể ban đầu đã mở rộng ra bên ngoài. Lớp tinh thể đơn mới phát triển này có thể khác với chất nền về mặt c...
    Đọc thêm
  • Sự khác biệt giữa chất nền và epitaxy là gì?

    Sự khác biệt giữa chất nền và epitaxy là gì?

    Trong quy trình chuẩn bị wafer, có hai liên kết cốt lõi: một là chuẩn bị chất nền và hai là thực hiện quy trình epiticular. Chất nền, một tấm wafer được chế tạo cẩn thận từ vật liệu tinh thể đơn bán dẫn, có thể được đưa trực tiếp vào dây chuyền sản xuất wafer ...
    Đọc thêm