Quy trình sản xuất bột SiC chất lượng cao

Cacbua silic (SiC)là một hợp chất vô cơ được biết đến với tính chất đặc biệt của nó. SiC xuất hiện tự nhiên, được gọi là moissanite, khá hiếm. Trong các ứng dụng công nghiệp,cacbua silicchủ yếu được sản xuất bằng phương pháp tổng hợp.
Tại Semicera Semiconductor, chúng tôi tận dụng các kỹ thuật tiên tiến để sản xuấtbột SiC chất lượng cao.

Phương pháp của chúng tôi bao gồm:
Phương pháp Acheson:Quá trình khử cacbon nhiệt truyền thống này bao gồm việc trộn cát thạch anh có độ tinh khiết cao hoặc quặng thạch anh nghiền với than cốc dầu mỏ, than chì hoặc bột antraxit. Hỗn hợp này sau đó được nung nóng đến nhiệt độ trên 2000°C bằng cách sử dụng điện cực than chì, dẫn đến sự tổng hợp bột α-SiC.
Giảm nhiệt độ ở nhiệt độ thấp:Bằng cách kết hợp bột mịn silica với bột cacbon và tiến hành phản ứng ở nhiệt độ 1500 đến 1800°C, chúng tôi tạo ra bột β-SiC có độ tinh khiết cao hơn. Kỹ thuật này, tương tự như phương pháp Acheson nhưng ở nhiệt độ thấp hơn, tạo ra β-SiC với cấu trúc tinh thể đặc biệt. Tuy nhiên, việc xử lý hậu kỳ để loại bỏ lượng carbon và silicon dioxide dư thừa là cần thiết.
Phản ứng trực tiếp silicon-Carbon:Phương pháp này bao gồm phản ứng trực tiếp bột silicon kim loại với bột carbon ở nhiệt độ 1000-1400°C để tạo ra bột β-SiC có độ tinh khiết cao. Bột α-SiC vẫn là nguyên liệu thô chính cho gốm sứ cacbua silic, trong khi β-SiC, với cấu trúc giống kim cương, lý tưởng cho các ứng dụng mài và đánh bóng chính xác.
Cacbua silic thể hiện hai dạng tinh thể chính:α và β. β-SiC, với hệ tinh thể lập phương, có mạng lập phương tâm mặt cho cả silicon và carbon. Ngược lại, α-SiC bao gồm nhiều loại polytype khác nhau như 4H, 15R và 6H, trong đó 6H được sử dụng phổ biến nhất trong công nghiệp. Nhiệt độ ảnh hưởng đến độ ổn định của các polytype này: β-SiC ổn định dưới 1600°C, nhưng trên nhiệt độ này, nó chuyển dần sang các polytype α-SiC. Ví dụ, 4H-SiC hình thành ở khoảng 2000°C, trong khi các polytype 15R và 6H yêu cầu nhiệt độ trên 2100°C. Đáng chú ý, 6H-SiC vẫn ổn định ngay cả ở nhiệt độ vượt quá 2200°C.

Tại Semicera Semiconductor, chúng tôi tận tâm phát triển công nghệ SiC. Chuyên môn của chúng tôi tronglớp phủ SiCvà vật liệu đảm bảo chất lượng và hiệu suất hàng đầu cho các ứng dụng bán dẫn của bạn. Khám phá cách các giải pháp tiên tiến của chúng tôi có thể nâng cao quy trình và sản phẩm của bạn.