Các bước chính trong quá trình xử lý chất nền SiC là gì?

Cách chúng tôi sản xuất các bước xử lý chất nền SiC như sau:

1. Định hướng tinh thể: Sử dụng nhiễu xạ tia X để định hướng thỏi tinh thể. Khi chùm tia X hướng vào mặt tinh thể mong muốn, góc của chùm tia nhiễu xạ sẽ xác định hướng tinh thể.

2. Mài đường kính ngoài: Các tinh thể đơn được trồng trong nồi nấu bằng than chì thường vượt quá đường kính tiêu chuẩn. Việc mài đường kính ngoài làm giảm chúng về kích thước tiêu chuẩn.

 

3. Mài mặt cuối: Chất nền 4H-SiC 4 inch thường có hai cạnh định vị, chính và phụ. Việc mài mặt cuối sẽ mở ra các cạnh định vị này.

4. Cưa dây: Cưa dây là một bước quan trọng trong quá trình xử lý chất nền 4H-SiC. Các vết nứt và hư hỏng dưới bề mặt gây ra trong quá trình cưa dây tác động tiêu cực đến các quy trình tiếp theo, kéo dài thời gian xử lý và gây thất thoát vật liệu. Phương pháp phổ biến nhất là cưa nhiều dây bằng đá mài kim cương. Chuyển động tịnh tiến của dây kim loại liên kết với vật liệu mài kim cương được sử dụng để cắt phôi 4H-SiC.

5. Vát cạnh: Để tránh sứt mẻ cạnh và giảm tổn thất tiêu hao trong các quá trình tiếp theo, các cạnh sắc của phoi xẻ dây được vát theo hình dạng xác định.

6. Làm mỏng: Cưa dây để lại nhiều vết xước và hư hỏng dưới bề mặt. Việc làm mỏng được thực hiện bằng cách sử dụng bánh xe kim cương để loại bỏ những khuyết tật này càng nhiều càng tốt.

7. Mài: Quá trình này bao gồm mài thô và mài mịn bằng cách sử dụng vật liệu mài mòn kim cương hoặc cacbua boron cỡ nhỏ hơn để loại bỏ các hư hỏng còn sót lại và các hư hỏng mới xuất hiện trong quá trình làm mỏng.

8. Đánh bóng: Các bước cuối cùng bao gồm đánh bóng thô và đánh bóng tinh bằng cách sử dụng chất mài mòn alumina hoặc silicon oxit. Chất lỏng đánh bóng làm mềm bề mặt, sau đó được loại bỏ một cách cơ học bằng chất mài mòn. Bước này đảm bảo bề mặt nhẵn và không bị hư hại.

9. Làm sạch: Loại bỏ các hạt, kim loại, màng oxit, cặn hữu cơ và các chất gây ô nhiễm khác còn sót lại từ các bước xử lý.