Tăng trưởng epiticular là một công nghệ phát triển một lớp tinh thể đơn trên một chất nền tinh thể (chất nền) có cùng hướng tinh thể với chất nền, như thể tinh thể ban đầu đã mở rộng ra bên ngoài.Lớp tinh thể đơn mới phát triển này có thể khác với chất nền về loại độ dẫn điện, điện trở suất, v.v. và có thể phát triển các tinh thể đơn nhiều lớp với độ dày khác nhau và các yêu cầu khác nhau, do đó cải thiện đáng kể tính linh hoạt của thiết kế thiết bị và hiệu suất của thiết bị.Ngoài ra, quy trình epiticular còn được ứng dụng rộng rãi trong công nghệ cách ly tiếp giáp PN trong các mạch tích hợp và trong việc nâng cao chất lượng vật liệu trong các mạch tích hợp quy mô lớn.
Việc phân loại epit Wax chủ yếu dựa trên các thành phần hóa học khác nhau của chất nền và lớp epiticular và các phương pháp tăng trưởng khác nhau.
Theo thành phần hóa học khác nhau, sự tăng trưởng epiticular có thể được chia thành hai loại:
1. Homoepiticular: Trong trường hợp này, lớp epiticular có thành phần hóa học giống như chất nền.Ví dụ, các lớp epiticular silicon được trồng trực tiếp trên đế silicon.
2. Heteroepitaxy: Ở đây, thành phần hóa học của lớp epitaxy khác với thành phần của chất nền.Ví dụ, lớp epiticular gallium nitride được trồng trên nền sapphire.
Theo các phương pháp tăng trưởng khác nhau, công nghệ tăng trưởng epiticular cũng có thể được chia thành nhiều loại:
1. Epitaxy chùm phân tử (MBE): Đây là công nghệ nuôi màng mỏng đơn tinh thể trên đế đơn tinh thể, đạt được bằng cách kiểm soát chính xác tốc độ dòng chùm phân tử và mật độ chùm tia trong chân không cực cao.
2. Lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD): Công nghệ này sử dụng các hợp chất hữu cơ kim loại và thuốc thử pha khí để thực hiện các phản ứng hóa học ở nhiệt độ cao nhằm tạo ra vật liệu màng mỏng cần thiết.Nó có ứng dụng rộng rãi trong việc điều chế các vật liệu và thiết bị bán dẫn phức hợp.
3. Epitaxy pha lỏng (LPE): Bằng cách thêm vật liệu lỏng vào chất nền đơn tinh thể và thực hiện xử lý nhiệt ở nhiệt độ nhất định, vật liệu lỏng kết tinh để tạo thành một màng tinh thể đơn.Các màng được chuẩn bị bằng công nghệ này được kết hợp dạng lưới với chất nền và thường được sử dụng để chuẩn bị các vật liệu và thiết bị bán dẫn phức hợp.
4. Epitaxy pha hơi (VPE): Sử dụng các chất phản ứng dạng khí để thực hiện các phản ứng hóa học ở nhiệt độ cao nhằm tạo ra vật liệu màng mỏng cần thiết.Công nghệ này phù hợp để chế tạo các màng đơn tinh thể chất lượng cao, diện tích lớn và đặc biệt nổi bật trong việc chế tạo các vật liệu và thiết bị bán dẫn phức hợp.
5. Epitaxy chùm tia hóa học (CBE): Công nghệ này sử dụng chùm tia hóa học để phát triển các màng đơn tinh thể trên các chất nền đơn tinh thể, điều này đạt được bằng cách kiểm soát chính xác tốc độ dòng chùm tia hóa học và mật độ chùm tia.Nó có ứng dụng rộng rãi trong việc chuẩn bị màng mỏng đơn tinh thể chất lượng cao.
6. Epitaxy lớp nguyên tử (ALE): Sử dụng công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử, các vật liệu màng mỏng cần thiết được lắng đọng từng lớp trên một đế tinh thể duy nhất.Công nghệ này có thể chuẩn bị các màng đơn tinh thể chất lượng cao, diện tích lớn và thường được sử dụng để chuẩn bị các vật liệu và thiết bị bán dẫn phức hợp.
7. Epitaxy tường nóng (HWE): Thông qua quá trình gia nhiệt ở nhiệt độ cao, các chất phản ứng dạng khí được lắng đọng trên một đế tinh thể đơn để tạo thành một màng tinh thể đơn.Công nghệ này cũng thích hợp để chuẩn bị các màng đơn tinh thể chất lượng cao, diện tích lớn và đặc biệt được sử dụng trong việc chuẩn bị các vật liệu và thiết bị bán dẫn phức hợp.
Thời gian đăng: May-06-2024