-
Vật liệu cốt lõi cho sự phát triển của SiC: Lớp phủ cacbua tantalum
Hiện nay, thế hệ chất bán dẫn thứ ba chủ yếu là cacbua silic. Trong cơ cấu giá thành các thiết bị của hãng, chất nền chiếm 47% và chất epit Wax chiếm 23%. Cả hai cùng nhau chiếm khoảng 70%, đây là phần quan trọng nhất trong quá trình sản xuất thiết bị cacbua silic...Đọc thêm -
Làm thế nào để các sản phẩm phủ tantalum cacbua tăng cường khả năng chống ăn mòn của vật liệu?
Lớp phủ cacbua tantalum là công nghệ xử lý bề mặt thường được sử dụng, có thể cải thiện đáng kể khả năng chống ăn mòn của vật liệu. Lớp phủ cacbua tantali có thể được gắn vào bề mặt chất nền thông qua các phương pháp chuẩn bị khác nhau, chẳng hạn như lắng đọng hơi hóa học, vật lý...Đọc thêm -
Hôm qua, Ban Đổi mới Khoa học và Công nghệ đã đưa ra thông báo rằng Huazhuo Precision Technology đã chấm dứt IPO!
Vừa công bố cung cấp thiết bị ủ laser SIC 8 inch đầu tiên tại Trung Quốc, cũng là công nghệ của Tsinghua; Tại sao họ lại tự mình rút tài liệu? Chỉ đôi lời: Thứ nhất, sản phẩm quá đa dạng! Thoạt nhìn, tôi không biết họ làm gì. Hiện tại, H...Đọc thêm -
Lớp phủ silicon cacbua CVD-2
Lớp phủ cacbua silic CVD 1. Tại sao có lớp phủ cacbua silic Lớp epiticular là một màng mỏng đơn tinh thể cụ thể được phát triển trên cơ sở tấm wafer thông qua quy trình epiticular. Tấm nền wafer và màng mỏng epiticular được gọi chung là tấm wafer epiticular. Trong số đó, ...Đọc thêm -
Quá trình chuẩn bị lớp phủ SIC
Hiện nay, các phương pháp chuẩn bị lớp phủ SiC chủ yếu bao gồm phương pháp gel-sol, phương pháp nhúng, phương pháp phủ chổi, phương pháp phun plasma, phương pháp phản ứng hơi hóa học (CVR) và phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD). Phương pháp nhúng Phương pháp này là một loại phương pháp pha rắn nhiệt độ cao...Đọc thêm -
Lớp phủ silicon cacbua CVD-1
CVD SiC Lắng đọng hơi hóa học (CVD) là một quá trình lắng đọng chân không được sử dụng để sản xuất vật liệu rắn có độ tinh khiết cao. Quá trình này thường được sử dụng trong lĩnh vực sản xuất chất bán dẫn để tạo thành các màng mỏng trên bề mặt tấm wafer. Trong quá trình điều chế SiC bằng CVD, chất nền được...Đọc thêm -
Phân tích cấu trúc trật khớp trong tinh thể SiC bằng mô phỏng dò tia được hỗ trợ bởi hình ảnh tôpô tia X
Cơ sở nghiên cứu Tầm quan trọng của ứng dụng cacbua silic (SiC): Là vật liệu bán dẫn có vùng cấm rộng, cacbua silic đã thu hút nhiều sự chú ý nhờ các đặc tính điện tuyệt vời của nó (chẳng hạn như vùng cấm lớn hơn, tốc độ bão hòa electron cao hơn và độ dẫn nhiệt). Những chỗ dựa này...Đọc thêm -
Quy trình chuẩn bị tinh thể mầm trong tăng trưởng đơn tinh thể SiC 3
Xác minh sự tăng trưởng Các tinh thể hạt silicon cacbua (SiC) đã được chuẩn bị theo quy trình đã phác thảo và được xác nhận thông qua sự phát triển của tinh thể SiC. Nền tảng tăng trưởng được sử dụng là lò tăng trưởng cảm ứng SiC tự phát triển với nhiệt độ tăng trưởng 2200oC, áp suất tăng trưởng 200 Pa và tốc độ tăng trưởng...Đọc thêm -
Quy trình chuẩn bị tinh thể hạt giống trong quá trình tăng trưởng tinh thể đơn SiC (Phần 2)
2. Quy trình thí nghiệm 2.1 Bảo dưỡng màng dính Người ta quan sát thấy rằng việc trực tiếp tạo màng carbon hoặc liên kết bằng giấy than chì trên tấm wafer SiC được phủ chất kết dính đã dẫn đến một số vấn đề: 1. Trong điều kiện chân không, màng dính trên tấm wafer SiC phát triển hình dạng giống như vảy do để ký...Đọc thêm -
Quá trình chuẩn bị tinh thể hạt giống trong quá trình tăng trưởng tinh thể đơn SiC
Vật liệu cacbua silic (SiC) có ưu điểm là dải rộng, độ dẫn nhiệt cao, cường độ trường đánh thủng tới hạn cao và tốc độ trôi electron bão hòa cao, khiến nó có triển vọng cao trong lĩnh vực sản xuất chất bán dẫn. Các tinh thể đơn SiC thường được sản xuất thông qua...Đọc thêm -
Các phương pháp đánh bóng wafer là gì?
Trong tất cả các quy trình liên quan đến việc tạo ra một con chip, số phận cuối cùng của tấm bán dẫn là được cắt thành từng khuôn riêng lẻ và đóng gói trong các hộp nhỏ, kín chỉ có một vài chân cắm lộ ra ngoài. Con chip sẽ được đánh giá dựa trên các giá trị ngưỡng, điện trở, dòng điện và điện áp của nó, nhưng sẽ không có ai xem xét ...Đọc thêm -
Giới thiệu cơ bản về quá trình tăng trưởng epiticular SiC
Lớp epiticular là một màng tinh thể đơn cụ thể được phát triển trên wafer bằng quy trình ep·iticular, và wafer nền và màng epiticular được gọi là wafer epiticular. Bằng cách phát triển lớp epiticular silic cacbua trên nền cacbua silic dẫn điện, lớp epiticular đồng nhất cacbua silic...Đọc thêm