Cacbua silic số lượng lớn CVD (SiC)
Tổng quan:CVDcacbua silic số lượng lớn (SiC)là vật liệu được săn đón nhiều trong thiết bị khắc plasma, ứng dụng xử lý nhiệt nhanh (RTP) và các quy trình sản xuất chất bán dẫn khác. Các đặc tính cơ học, hóa học và nhiệt đặc biệt của nó làm cho nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng công nghệ tiên tiến đòi hỏi độ chính xác và độ bền cao.
Các ứng dụng của SiC số lượng lớn CVD:SiC số lượng lớn rất quan trọng trong ngành bán dẫn, đặc biệt là trong các hệ thống khắc plasma, trong đó các bộ phận như vòng lấy nét, vòi hoa sen khí, vòng cạnh và trục lăn được hưởng lợi từ khả năng chống ăn mòn và tính dẫn nhiệt vượt trội của SiC. Việc sử dụng nó mở rộng đếnRTPhệ thống do khả năng của SiC chịu được sự dao động nhiệt độ nhanh mà không bị suy giảm đáng kể.
Ngoài thiết bị khắc, CVDSiC số lượng lớnđược ưa chuộng trong các lò khuếch tán và quá trình phát triển tinh thể, nơi cần có độ ổn định nhiệt cao và khả năng chống chịu với môi trường hóa học khắc nghiệt. Những thuộc tính này làm cho SiC trở thành vật liệu được lựa chọn cho các ứng dụng có nhu cầu cao liên quan đến nhiệt độ cao và các loại khí ăn mòn, chẳng hạn như các chất có chứa clo và flo.
Ưu điểm của các thành phần SiC số lượng lớn CVD:
•Mật độ cao:Với mật độ 3,2 g/cm³,SiC số lượng lớn CVDcác bộ phận có khả năng chống mài mòn và tác động cơ học cao.
•Độ dẫn nhiệt vượt trội:Với độ dẫn nhiệt 300 W/m·K, SiC số lượng lớn quản lý nhiệt hiệu quả, khiến nó trở nên lý tưởng cho các bộ phận tiếp xúc với chu kỳ nhiệt khắc nghiệt.
•Kháng hóa chất đặc biệt:Khả năng phản ứng thấp của SiC với khí ăn mòn, bao gồm các hóa chất gốc clo và flo, đảm bảo kéo dài tuổi thọ của các bộ phận.
•Điện trở suất điều chỉnh: SiC số lượng lớn CVDđiện trở suất có thể được tùy chỉnh trong phạm vi 10⁻²–10⁴ Ω-cm, giúp nó có thể thích ứng với các nhu cầu sản xuất chất bán dẫn và khắc axit cụ thể.
•Hệ số giãn nở nhiệt:Với hệ số giãn nở nhiệt 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), SiC số lượng lớn CVD có khả năng chống sốc nhiệt, duy trì độ ổn định kích thước ngay cả trong các chu kỳ gia nhiệt và làm mát nhanh.
•Độ bền trong Plasma:Việc tiếp xúc với plasma và khí phản ứng là không thể tránh khỏi trong quá trình bán dẫn, nhưngSiC số lượng lớn CVDmang lại khả năng chống ăn mòn và xuống cấp vượt trội, giảm tần suất thay thế và chi phí bảo trì tổng thể.
Thông số kỹ thuật:
•Đường kính:Lớn hơn 305 mm
•Điện trở suất:Có thể điều chỉnh trong phạm vi 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Tỉ trọng:3,2 g/cm³
•Độ dẫn nhiệt:300 W/m·K
•Hệ số giãn nở nhiệt:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Tùy chỉnh và tính linh hoạt:TạiChất bán dẫn, chúng tôi hiểu rằng mọi ứng dụng bán dẫn có thể yêu cầu các thông số kỹ thuật khác nhau. Đó là lý do tại sao các bộ phận SiC số lượng lớn CVD của chúng tôi hoàn toàn có thể tùy chỉnh, với điện trở suất có thể điều chỉnh và kích thước phù hợp để phù hợp với nhu cầu thiết bị của bạn. Cho dù bạn đang tối ưu hóa hệ thống khắc plasma hay đang tìm kiếm các thành phần bền bỉ trong RTP hoặc quy trình khuếch tán, SiC số lượng lớn CVD của chúng tôi đều mang lại hiệu suất tuyệt vời.
