Chất nền Si

Mô tả ngắn gọn:

Với độ chính xác vượt trội và độ tinh khiết cao, Chất nền Si của Semicera đảm bảo hiệu suất ổn định và đáng tin cậy trong các ứng dụng quan trọng, bao gồm sản xuất Epi-Wafer và Gallium Oxide (Ga2O3). Được thiết kế để hỗ trợ sản xuất các thiết bị vi điện tử tiên tiến, chất nền này mang lại khả năng tương thích và ổn định đặc biệt, khiến nó trở thành vật liệu thiết yếu cho các công nghệ tiên tiến trong lĩnh vực viễn thông, ô tô và công nghiệp.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Chất nền Si của Semicera là thành phần thiết yếu trong sản xuất các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao. Được thiết kế từ Silicon (Si) có độ tinh khiết cao, chất nền này mang lại sự đồng nhất, ổn định và độ dẫn điện tuyệt vời, khiến nó trở nên lý tưởng cho nhiều ứng dụng tiên tiến trong ngành bán dẫn. Cho dù được sử dụng trong sản xuất Tấm wafer Si, Chất nền SiC, Tấm wafer SOI hay Chất nền SiN, Chất nền Semicera Si đều mang lại chất lượng ổn định và hiệu suất vượt trội để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của khoa học vật liệu và điện tử hiện đại.

Hiệu suất vô song với độ tinh khiết và độ chính xác cao

Chất nền Si của Semicera được sản xuất bằng quy trình tiên tiến đảm bảo độ tinh khiết cao và kiểm soát kích thước chặt chẽ. Chất nền đóng vai trò là nền tảng để sản xuất nhiều loại vật liệu hiệu suất cao, bao gồm cả Epi-Wafers và AlN Wafers. Độ chính xác và tính đồng nhất của Chất nền Si làm cho nó trở thành sự lựa chọn tuyệt vời để tạo các lớp epiticular màng mỏng và các thành phần quan trọng khác được sử dụng trong sản xuất chất bán dẫn thế hệ tiếp theo. Cho dù bạn đang làm việc với Gallium Oxide (Ga2O3) hay các vật liệu tiên tiến khác, Chất nền Si của Semicera đều đảm bảo mức độ tin cậy và hiệu suất cao nhất.

Ứng dụng trong sản xuất chất bán dẫn

Trong ngành công nghiệp bán dẫn, Chất nền Si từ Semicera được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm sản xuất tấm wafer Si và Chất nền SiC, nơi nó cung cấp nền tảng ổn định, đáng tin cậy cho việc lắng đọng các lớp hoạt động. Chất nền này đóng vai trò quan trọng trong việc chế tạo các tấm SOI (Silicon On Insulator), rất cần thiết cho các mạch tích hợp và vi điện tử tiên tiến. Hơn nữa, Epi-Wafers (tấm wafer epiticular) được chế tạo trên Chất nền Si là không thể thiếu trong việc sản xuất các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao như bóng bán dẫn điện, điốt và mạch tích hợp.

Chất nền Si cũng hỗ trợ sản xuất các thiết bị sử dụng Gallium Oxide (Ga2O3), một vật liệu có dải rộng đầy hứa hẹn được sử dụng cho các ứng dụng công suất cao trong điện tử công suất. Ngoài ra, khả năng tương thích của Chất nền Si của Semicera với Tấm wafer AlN và các chất nền tiên tiến khác đảm bảo rằng nó có thể đáp ứng các yêu cầu đa dạng của các ngành công nghệ cao, khiến nó trở thành giải pháp lý tưởng để sản xuất các thiết bị tiên tiến trong các lĩnh vực viễn thông, ô tô và công nghiệp .

Chất lượng ổn định và đáng tin cậy cho các ứng dụng công nghệ cao

Chất nền Si của Semicera được thiết kế cẩn thận để đáp ứng nhu cầu khắt khe của chế tạo chất bán dẫn. Tính toàn vẹn cấu trúc đặc biệt và đặc tính bề mặt chất lượng cao làm cho nó trở thành vật liệu lý tưởng để sử dụng trong hệ thống băng cassette để vận chuyển tấm bán dẫn cũng như tạo ra các lớp có độ chính xác cao trong các thiết bị bán dẫn. Khả năng duy trì chất lượng ổn định của chất nền trong các điều kiện quy trình khác nhau đảm bảo giảm thiểu các khuyết tật, nâng cao năng suất và hiệu suất của sản phẩm cuối cùng.

Với tính dẫn nhiệt vượt trội, độ bền cơ học và độ tinh khiết cao, Chất nền Si của Semicera là vật liệu được lựa chọn cho các nhà sản xuất muốn đạt được các tiêu chuẩn cao nhất về độ chính xác, độ tin cậy và hiệu suất trong sản xuất chất bán dẫn.

Chọn Chất nền Si của Semicera cho các giải pháp có độ tinh khiết cao, hiệu suất cao

Đối với các nhà sản xuất trong ngành bán dẫn, Chất nền Si của Semicera cung cấp giải pháp mạnh mẽ, chất lượng cao cho nhiều ứng dụng, từ sản xuất Si Wafer đến tạo ra Epi-Wafers và SOI Wafers. Với độ tinh khiết, độ chính xác và độ tin cậy chưa từng có, chất nền này cho phép sản xuất các thiết bị bán dẫn tiên tiến, đảm bảo hiệu suất lâu dài và hiệu quả tối ưu. Hãy chọn Semicera cho nhu cầu chất nền Si của bạn và tin tưởng vào sản phẩm được thiết kế để đáp ứng nhu cầu công nghệ của ngày mai.

Mặt hàng

Sản xuất

Nghiên cứu

giả

Thông số tinh thể

đa hình

4H

Lỗi định hướng bề mặt

<11-20 >4±0,15°

Thông số điện

Dopant

Nitơ loại n

Điện trở suất

0,015-0,025ohm·cm

Thông số cơ học

Đường kính

150,0±0,2mm

độ dày

350±25 mm

Hướng phẳng chính

[1-100]±5°

Chiều dài phẳng chính

47,5 ± 1,5mm

Căn hộ thứ cấp

Không có

TTV

5 mm

10 mm

15 mm

LTV

3 mm(5mm*5mm)

5 mm(5mm*5mm)

10 m(5mm*5mm)

Cây cung

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Làm cong vênh

35 mm

45 mm

55 mm

Độ nhám mặt trước (Si-face) (AFM)

Ra 0,2nm (5μm * 5μm)

Kết cấu

Mật độ micropipe

<1 cái/cm2

<10 cái/cm2

<15 cái/cm2

Tạp chất kim loại

5E10 nguyên tử/cm2

NA

BPD

1500 cái/cm2

3000 cái/cm2

NA

TSD

500 cái/cm2

1000 cái/cm2

NA

Chất lượng mặt trước

Đằng trước

Si

Bề mặt hoàn thiện

Si-mặt CMP

hạt

60ea/bánh xốp (kích thước ≥0,3μm)

NA

Vết xước

5ea/mm. Chiều dài tích lũy ≤ Đường kính

Chiều dài tích lũy<2*Đường kính

NA

Vỏ cam/hố/vết bẩn/vết nứt/vết nứt/nhiễm bẩn

Không có

NA

Chip cạnh/vết lõm/gãy/tấm lục giác

Không có

Khu vực đa dạng

Không có

Diện tích tích lũy<20%

Diện tích tích lũy<30%

Đánh dấu laser phía trước

Không có

Trở lại Chất lượng

Kết thúc trở lại

CMP mặt chữ C

Vết xước

5ea / mm, Chiều dài tích lũy 2 * Đường kính

NA

Khuyết tật ở mặt sau (lỗi ở cạnh/vết lõm)

Không có

Độ nhám lưng

Ra 0,2nm (5μm * 5μm)

Đánh dấu laser phía sau

1 mm (từ cạnh trên)

Bờ rìa

Bờ rìa

vát mép

Bao bì

Bao bì

Sẵn sàng cho Epi với bao bì chân không

Bao bì cassette nhiều wafer

*Lưu ý: "NA" nghĩa là không có yêu cầu. Các mục không được đề cập có thể ám chỉ SEMI-STD.

tech_1_2_size
tấm wafer SiC

  • Trước:
  • Kế tiếp: