Sự miêu tả
Semicera GaN Epitaxy Carrier được thiết kế tỉ mỉ để đáp ứng nhu cầu nghiêm ngặt của sản xuất chất bán dẫn hiện đại. Với nền tảng là vật liệu chất lượng cao và kỹ thuật chính xác, hãng vận chuyển này nổi bật nhờ hiệu suất và độ tin cậy vượt trội. Việc tích hợp lớp phủ Silicon Carbide (SiC) lắng đọng hơi hóa học (CVD) đảm bảo độ bền, hiệu suất nhiệt và khả năng bảo vệ vượt trội, khiến nó trở thành lựa chọn ưu tiên của các chuyên gia trong ngành.
Các tính năng chính
1. Độ bền vượt trộiLớp phủ CVD SiC trên GaN Epitaxy Carrier tăng cường khả năng chống mài mòn, kéo dài đáng kể tuổi thọ hoạt động của nó. Sự mạnh mẽ này đảm bảo hiệu suất ổn định ngay cả trong môi trường sản xuất đòi hỏi khắt khe, giảm nhu cầu thay thế và bảo trì thường xuyên.
2. Hiệu suất nhiệt vượt trộiQuản lý nhiệt là rất quan trọng trong sản xuất chất bán dẫn. Đặc tính nhiệt tiên tiến của GaN Epitaxy Carrier tạo điều kiện tản nhiệt hiệu quả, duy trì điều kiện nhiệt độ tối ưu trong quá trình tăng trưởng epiticular. Hiệu suất này không chỉ cải thiện chất lượng của các tấm bán dẫn mà còn nâng cao hiệu quả sản xuất tổng thể.
3. Khả năng bảo vệLớp phủ SiC cung cấp khả năng bảo vệ mạnh mẽ chống lại sự ăn mòn hóa học và sốc nhiệt. Điều này đảm bảo tính toàn vẹn của chất mang được duy trì trong suốt quá trình sản xuất, bảo vệ các vật liệu bán dẫn mỏng manh và nâng cao năng suất cũng như độ tin cậy tổng thể của quá trình sản xuất.
Thông số kỹ thuật:
Ứng dụng:
Semicorex GaN Epitaxy Carrier lý tưởng cho nhiều quy trình sản xuất chất bán dẫn, bao gồm:
• Tăng trưởng epiticular GaN
• Quá trình bán dẫn nhiệt độ cao
• Lắng đọng hơi hóa học (CVD)
• Các ứng dụng sản xuất chất bán dẫn tiên tiến khác
