Sự miêu tả
cácChất nhạy cảm với tấm wafer silicon cacbua (SiC)cho MOCVD từ semicera được thiết kế cho quy trình epiticular tiên tiến, mang lại hiệu suất vượt trội cho cảSi EpitaxyVàEpitaxy SiCứng dụng. Phương pháp tiếp cận đổi mới của Semicera đảm bảo các bộ phận nhạy cảm này bền bỉ và hiệu quả, mang lại sự ổn định và chính xác cho các hoạt động sản xuất quan trọng.
Được thiết kế để hỗ trợ các nhu cầu phức tạp củaChất nhạy cảm MOCVDhệ thống, các sản phẩm này rất linh hoạt, tương thích với các nhà cung cấp dịch vụ như PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier và RTP Carrier. Tính linh hoạt của chúng khiến chúng phù hợp với các ngành công nghệ cao, bao gồm cả những ngành làm việc vớiLED epiticularChất nhạy cảm và Silicon đơn tinh thể.
Với nhiều cấu hình, bao gồm Bộ cảm biến thùng và Bộ cảm biến bánh kếp, các bộ phận nhạy cảm bán dẫn này cũng rất cần thiết trong lĩnh vực quang điện, hỗ trợ sản xuất các bộ phận quang điện. Đối với các nhà sản xuất chất bán dẫn, khả năng xử lý các quy trình Epit Wax GaN trên SiC làm cho các bộ phận nhạy cảm này có giá trị cao để đảm bảo đầu ra chất lượng cao trên nhiều ứng dụng.
Các tính năng chính
1. Than chì phủ SiC có độ tinh khiết cao
2. Khả năng chịu nhiệt vượt trội và độ đồng đều nhiệt
3. Tốt thôiPhủ tinh thể SiCcho một bề mặt mịn màng
4. Độ bền cao trước khả năng làm sạch bằng hóa chất
Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Tỉ trọng | (g/cc) | 3,21 |
Độ bền uốn | (Mpa) | 470 |
Sự giãn nở nhiệt | (10-6/K) | 4 |
Độ dẫn nhiệt | (W/mK) | 300 |
Đóng gói và vận chuyển
Khả năng cung cấp:
10000 mảnh / mảnh mỗi tháng
Đóng gói & Giao hàng:
Đóng gói: Đóng gói tiêu chuẩn và mạnh mẽ
Túi poly + Hộp + Thùng + Pallet
Cảng:
Ninh Ba/Thâm Quyến/Thượng Hải
Thời gian dẫn:
Số lượng (Miếng) | 1-1000 | >1000 |
Ước tính. Thời gian (ngày) | 30 | Sẽ được đàm phán |