Giới thiệu về lớp phủ CVD TaC:
Lớp phủ CVD TaC là công nghệ sử dụng sự lắng đọng hơi hóa học để lắng đọng lớp phủ tantalum cacbua (TaC) trên bề mặt chất nền. Tantalum cacbua là vật liệu gốm hiệu suất cao với các đặc tính cơ học và hóa học tuyệt vời. Quá trình CVD tạo ra màng TaC đồng nhất trên bề mặt chất nền thông qua phản ứng khí.
Các tính năng chính:
Độ cứng và khả năng chống mài mòn tuyệt vời: Tantalum cacbua có độ cứng cực cao và lớp phủ CVD TaC có thể cải thiện đáng kể khả năng chống mài mòn của chất nền. Điều này làm cho lớp phủ trở nên lý tưởng cho các ứng dụng trong môi trường có độ mài mòn cao, chẳng hạn như dụng cụ cắt và khuôn.
Ổn định nhiệt độ cao: Lớp phủ TaC bảo vệ các bộ phận quan trọng của lò và lò phản ứng ở nhiệt độ lên tới 2200°C, thể hiện độ ổn định tốt. Nó duy trì sự ổn định hóa học và cơ học trong điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt, khiến nó phù hợp cho các ứng dụng và xử lý nhiệt độ cao trong môi trường nhiệt độ cao.
Độ ổn định hóa học tuyệt vời: Tantalum cacbua có khả năng chống ăn mòn mạnh đối với hầu hết các axit và kiềm, và lớp phủ CVD TaC có thể ngăn ngừa hiệu quả hư hỏng bề mặt trong môi trường ăn mòn.
Điểm nóng chảy cao: Tantalum cacbua có điểm nóng chảy cao (khoảng 3880°C), cho phép lớp phủ CVD TaC được sử dụng trong điều kiện nhiệt độ cực cao mà không bị nóng chảy hoặc phân hủy.
Độ dẫn nhiệt tuyệt vời: Lớp phủ TaC có tính dẫn nhiệt cao, giúp tản nhiệt hiệu quả trong các quá trình có nhiệt độ cao và ngăn ngừa hiện tượng quá nhiệt cục bộ.
Ứng dụng tiềm năng:
• Các thành phần lò phản ứng CVD epiticular Gallium Nitride (GaN) và Silicon Carbide bao gồm các vật mang bán dẫn, đĩa vệ tinh, vòi hoa sen, trần nhà và thiết bị cảm ứng
• Các thành phần tăng trưởng tinh thể cacbua silic, gali nitrit và nhôm nitrit (AlN) bao gồm nồi nấu kim loại, giá đỡ hạt giống, vòng dẫn hướng và bộ lọc
• Các bộ phận công nghiệp bao gồm các bộ phận làm nóng bằng điện trở, vòi phun, vòng che và đồ gá hàn
Tính năng ứng dụng:
• Nhiệt độ ổn định trên 2000°C, cho phép vận hành ở nhiệt độ khắc nghiệt
•Chống được hydro (Hz), amoniac (NH3), monosilane (SiH4) và silicon (Si), mang lại sự bảo vệ trong môi trường hóa học khắc nghiệt
• Khả năng chống sốc nhiệt của nó cho phép chu kỳ vận hành nhanh hơn
• Than chì có độ bám dính cao, đảm bảo tuổi thọ lâu dài và không bị bong tróc lớp phủ.
• Độ tinh khiết cực cao để loại bỏ các tạp chất hoặc chất gây ô nhiễm không cần thiết
• Độ phủ lớp phủ phù hợp với dung sai kích thước chặt chẽ
Thông số kỹ thuật:
Chuẩn bị lớp phủ cacbua tantalum dày đặc bằng CVD：
Lớp phủ TAC có độ kết tinh cao và độ đồng đều tuyệt vời:
Thông số kỹ thuật của lớp phủ CVD TAC_Semiara:
| Tính chất vật lý của lớp phủ TaC | |
| Tỉ trọng | 14,3 (g/cm³) |
| Nồng độ số lượng lớn | 8 x 1015/cm |
| Độ phát xạ cụ thể | 0,3 |
| Hệ số giãn nở nhiệt | 6,3 10-6/K |
| Độ cứng (HK) | 2000 HK |
| Điện trở suất lớn | 4,5 ohm-cm |
| Sức chống cự | 1x10-5Ohm*cm |
| Độ ổn định nhiệt | <2500oC |
| Tính cơ động | 237 cm2/Vs |
| Thay đổi kích thước than chì | -10~-20um |
| độ dày lớp phủ | ≥20um giá trị tiêu biểu (35um+10um) |
Trên đây là những giá trị điển hình.
