Tấm wafer liên kết LiNbO3 6 inch

Mô tả ngắn gọn:

Tấm wafer liên kết LiNbO3 6 inch của Semicera lý tưởng cho các quy trình liên kết nâng cao trong các thiết bị quang điện tử, MEMS và mạch tích hợp (IC). Với các đặc tính liên kết vượt trội, nó lý tưởng để đạt được sự liên kết và tích hợp lớp chính xác, đảm bảo hiệu suất và hiệu quả của các thiết bị bán dẫn. Độ tinh khiết cao của tấm bán dẫn giúp giảm thiểu ô nhiễm, khiến nó trở thành lựa chọn đáng tin cậy cho các ứng dụng đòi hỏi độ chính xác cao nhất.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Tấm wafer liên kết LiNbO3 6 inch của Semicera được thiết kế để đáp ứng các tiêu chuẩn khắt khe của ngành bán dẫn, mang lại hiệu suất tuyệt vời trong cả môi trường nghiên cứu và sản xuất. Cho dù dùng cho quang điện tử cao cấp, MEMS hay bao bì bán dẫn tiên tiến, tấm bán dẫn liên kết này mang lại độ tin cậy và độ bền cần thiết cho sự phát triển công nghệ tiên tiến.

Trong ngành công nghiệp bán dẫn, Tấm wafer liên kết LiNbO3 6 inch được sử dụng rộng rãi để liên kết các lớp mỏng trong các thiết bị quang điện tử, cảm biến và hệ thống vi cơ điện tử (MEMS). Các đặc tính đặc biệt của nó làm cho nó trở thành thành phần có giá trị cho các ứng dụng yêu cầu tích hợp lớp chính xác, chẳng hạn như trong chế tạo mạch tích hợp (IC) và thiết bị quang tử. Độ tinh khiết cao của tấm bán dẫn đảm bảo rằng sản phẩm cuối cùng duy trì hiệu suất tối ưu, giảm thiểu nguy cơ ô nhiễm có thể ảnh hưởng đến độ tin cậy của thiết bị.

Tính chất nhiệt và điện của LiNbO3
điểm nóng chảy 1250oC
Nhiệt độ Curie 1140oC
Độ dẫn nhiệt 38 W/m/K @ 25oC
Hệ số giãn nở nhiệt (@ 25°C)

//a,2.0×10-6/K

//c,2.2×10-6/K

Điện trở suất 2×10-6Ω·cm @ 200 oC
Hằng số điện môi

εS11/ε0=43,εT11/ε0=78

εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2

Hằng số áp điện

D22=2,04×10-11C/N

D33=19,22×10-11C/N

hệ số quang điện

γT33=32 chiều/V, γS33=31 giờ chiều/V,

γT31= 10 giờ tối/V, γS31= 8,6 giờ tối/V,

γT22=6,8 chiều/V, γS22=3,4 chiều/V,

Điện áp nửa sóng, DC
Điện trường // z, ánh sáng ⊥ Z;
Điện trường // x hoặc y, ánh sáng ⊥ z

3,03 KV

4,02 KV

Tấm wafer liên kết LiNbO3 6 inch của Semicera được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng tiên tiến trong ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện tử. Được biết đến với khả năng chống mài mòn vượt trội, độ ổn định nhiệt cao và độ tinh khiết đặc biệt, tấm bán dẫn liên kết này lý tưởng cho sản xuất chất bán dẫn hiệu suất cao, mang lại độ tin cậy và độ chính xác lâu dài ngay cả trong những điều kiện đòi hỏi khắt khe.

Được chế tạo bằng công nghệ tiên tiến, Tấm wafer liên kết LiNbO3 6 inch đảm bảo mức độ ô nhiễm tối thiểu, điều này rất quan trọng đối với các quy trình sản xuất chất bán dẫn đòi hỏi mức độ tinh khiết cao. Độ ổn định nhiệt tuyệt vời của nó cho phép nó chịu được nhiệt độ cao mà không ảnh hưởng đến tính toàn vẹn của cấu trúc, khiến nó trở thành lựa chọn đáng tin cậy cho các ứng dụng liên kết nhiệt độ cao. Ngoài ra, khả năng chống mài mòn vượt trội của tấm bán dẫn đảm bảo nó hoạt động ổn định trong thời gian dài sử dụng, mang lại độ bền lâu dài và giảm nhu cầu thay thế thường xuyên.

Nơi làm việc Semicera
Nơi làm việc Semicera 2
Máy thiết bị
Xử lý CNN, làm sạch bằng hóa chất, phủ CVD
Nhà kho Semicera
Dịch vụ của chúng tôi

  • Trước:
  • Kế tiếp: