Công ty chúng tôi cung cấplớp phủ SiCxử lý các dịch vụ trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác bằng phương pháp CVD, để các khí đặc biệt chứa carbon và silicon có thể phản ứng ở nhiệt độ cao để thu được các phân tử Sic có độ tinh khiết cao, có thể lắng đọng trên bề mặt vật liệu phủ để tạo thành mộtLớp bảo vệ SiCcho loại thùng epitaxy hy pnotic.
Những đặc điểm chính:
1. Than chì phủ SiC có độ tinh khiết cao
2. Khả năng chịu nhiệt vượt trội và độ đồng đều nhiệt
3. Tốt thôiPhủ tinh thể SiCcho một bề mặt mịn màng
4. Độ bền cao trước khả năng làm sạch bằng hóa chất
Thông số kỹ thuật chính củaLớp phủ CVD-SIC
| Thuộc tính SiC-CVD | ||
| Cấu trúc tinh thể | Giai đoạn FCC | |
| Tỉ trọng | g/cm³ | 3,21 |
| độ cứng | Độ cứng Vickers | 2500 |
| Kích thước hạt | mm | 2~10 |
| Độ tinh khiết hóa học | % | 99.99995 |
| Nhiệt dung | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Nhiệt độ thăng hoa | oC | 2700 |
| Sức mạnh cảm giác | MPa (RT 4 điểm) | 415 |
| Mô-đun của Young | Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC) | 430 |
| Giãn nở nhiệt (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Dẫn nhiệt | (W/mK) | 300 |
