Khay MOCVD phủ SiC có độ tinh khiết cao chống oxy hóa

Mô tả ngắn gọn:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. là nhà cung cấp hàng đầu chuyên về wafer và vật tư tiêu hao bán dẫn tiên tiến.Chúng tôi chuyên cung cấp các sản phẩm chất lượng cao, đáng tin cậy và sáng tạo cho ngành sản xuất chất bán dẫn,ngành công nghiệp quang điệnvà các lĩnh vực liên quan khác.

Dòng sản phẩm của chúng tôi bao gồm các sản phẩm than chì và sản phẩm gốm được phủ SiC/TaC, bao gồm các vật liệu khác nhau như cacbua silic, silicon nitrit và oxit nhôm, v.v.

Là nhà cung cấp đáng tin cậy, chúng tôi hiểu tầm quan trọng của vật tư tiêu hao trong quá trình sản xuất và chúng tôi cam kết cung cấp các sản phẩm đáp ứng tiêu chuẩn chất lượng cao nhất để đáp ứng nhu cầu của khách hàng.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Sự miêu tả

Công ty chúng tôi cung cấplớp phủ SiCxử lý dịch vụ bằng phương pháp CVD trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác, sao cho các khí đặc biệt chứa carbon và silicon phản ứng ở nhiệt độ cao để thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao, các phân tử lắng đọng trên bề mặt vật liệu phủ, tạo thành mộtLớp bảo vệ SiC.

Các tính năng chính

1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:
khả năng chống oxy hóa vẫn rất tốt khi nhiệt độ cao tới 1600 C.
2. Độ tinh khiết cao: được tạo ra bằng cách lắng đọng hơi hóa học trong điều kiện khử trùng bằng clo ở nhiệt độ cao.
3. Chống xói mòn: độ cứng cao, bề mặt nhỏ gọn, hạt mịn.
4. Chống ăn mòn: thuốc thử axit, kiềm, muối và hữu cơ.

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC

Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC
Tỉ trọng	g/cm³	3,21
độ cứng	Độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	mm	2~10
Độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Công suất nhiệt	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	oC	2700
Sức mạnh cảm giác	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô-đun của Young	Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC)	430
Giãn nở nhiệt (CTE)	10-6K-1	4,5
Độ dẫn nhiệt	(W/mK)	300