Quy trình phủ SiC cho chất mang than chì phủ SiC

Chúng tôi duy trì dung sai rất gần khi áp dụnglớp phủ SiC, sử dụng gia công có độ chính xác cao để đảm bảo cấu hình cảm biến đồng nhất.Chúng tôi cũng sản xuất vật liệu có đặc tính điện trở lý tưởng để sử dụng trong các hệ thống gia nhiệt bằng cảm ứng.Tất cả các thành phần đã hoàn thiện đều có chứng nhận tuân thủ về độ tinh khiết và kích thước.

Công ty chúng tôi cung cấplớp phủ SiCxử lý dịch vụ bằng phương pháp CVD trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác, sao cho các khí đặc biệt chứa carbon và silicon phản ứng ở nhiệt độ cao thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao, các phân tử lắng đọng trên bề mặt vật liệu phủ, tạo thành lớp bảo vệ SIC.SIC hình thành được liên kết chắc chắn với nền than chì, tạo cho nền than chì những đặc tính đặc biệt, do đó làm cho bề mặt than chì nhỏ gọn, không có độ xốp, chịu được nhiệt độ cao, chống ăn mòn và chống oxy hóa.

Quá trình CVD mang lại độ tinh khiết cực cao và mật độ lý thuyết củalớp phủ SiCkhông có độ xốp.Hơn nữa, vì cacbua silic rất cứng nên nó có thể được đánh bóng thành bề mặt giống như gương.Lớp phủ silicon cacbua CVD (SiC)mang lại một số ưu điểm bao gồm bề mặt có độ tinh khiết cực cao và độ bền mài mòn cực cao.Vì các sản phẩm được phủ có hiệu suất tuyệt vời trong môi trường chân không và nhiệt độ cao nên chúng rất lý tưởng cho các ứng dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn và môi trường siêu sạch khác.Chúng tôi cũng cung cấp các sản phẩm than chì nhiệt phân (PG).