Hiện nay, các phương pháp chuẩn bị lớp phủ SiC chủ yếu bao gồm phương pháp gel-sol, phương pháp nhúng, phương pháp phủ chổi, phương pháp phun plasma, phương pháp phản ứng khí hóa học (CVR) và phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD). Phương pháp nhúng: Phương pháp này là một loại hig...
Đọc thêm