PHẦN 1
Phương pháp CVD (Lắng đọng hơi hóa học):
Ở 900-2300oC, sử dụng TaCl5và CnHm là nguồn tantalum và carbon, H₂ là khí quyển khử, khí mang Ar₂as, màng lắng đọng phản ứng.Lớp phủ được chuẩn bị nhỏ gọn, đồng đều và có độ tinh khiết cao.Tuy nhiên, có một số vấn đề như quy trình phức tạp, chi phí đắt đỏ, khó kiểm soát luồng không khí và hiệu suất lắng đọng thấp.
PHẦN 2
Phương pháp thiêu kết bùn:
Bùn chứa nguồn carbon, nguồn tantalum, chất phân tán và chất kết dính được phủ lên than chì và thiêu kết ở nhiệt độ cao sau khi sấy khô.Lớp phủ đã chuẩn bị phát triển mà không cần định hướng thường xuyên, có chi phí thấp và phù hợp cho sản xuất quy mô lớn.Vẫn còn phải nghiên cứu để đạt được lớp phủ đồng nhất và đầy đủ trên than chì lớn, loại bỏ các khuyết tật hỗ trợ và tăng cường lực liên kết lớp phủ.
PHẦN/3
Phương pháp phun plasma:
Bột TaC được làm nóng chảy bởi hồ quang plasma ở nhiệt độ cao, được nguyên tử hóa thành các giọt nhiệt độ cao bằng tia phản lực tốc độ cao và phun lên bề mặt vật liệu than chì.Rất dễ hình thành lớp oxit trong môi trường không chân không và mức tiêu thụ năng lượng lớn.
Nhân vật .Khay wafer sau khi sử dụng trong thiết bị MOCVD được nuôi cấy epiticular GaN (Veeco P75).Cái bên trái được phủ TaC và cái bên phải được phủ SiC.
phủ TaCcác bộ phận than chì cần được giải quyết
PHẦN 1
Lực ràng buộc:
Hệ số giãn nở nhiệt và các tính chất vật lý khác giữa TaC và vật liệu carbon là khác nhau, độ bền liên kết của lớp phủ thấp, khó tránh khỏi các vết nứt, lỗ chân lông và ứng suất nhiệt, lớp phủ dễ bong tróc trong môi trường thực tế có chứa thối và quá trình tăng và làm mát lặp đi lặp lại.
PHẦN 2
độ tinh khiết:
lớp phủ TaCcần phải có độ tinh khiết cực cao để tránh tạp chất và ô nhiễm trong điều kiện nhiệt độ cao, đồng thời cần phải thống nhất các tiêu chuẩn hàm lượng hiệu quả và tiêu chuẩn đặc tính của carbon tự do và tạp chất nội tại trên bề mặt và bên trong lớp phủ đầy đủ.
PHẦN/3
Sự ổn định:
Khả năng chịu nhiệt độ cao và khả năng chống không khí hóa học trên 2300oC là những chỉ số quan trọng nhất để kiểm tra độ ổn định của lớp phủ.Các lỗ kim, vết nứt, góc bị thiếu và ranh giới hạt định hướng đơn lẻ dễ khiến khí ăn mòn xâm nhập và xâm nhập vào than chì, dẫn đến hỏng lớp bảo vệ lớp phủ.
PHẦN/4
Chống oxy hóa:
TaC bắt đầu oxy hóa thành Ta2O5 khi nhiệt độ trên 500oC và tốc độ oxy hóa tăng mạnh khi nhiệt độ và nồng độ oxy tăng.Quá trình oxy hóa bề mặt bắt đầu từ ranh giới hạt và các hạt nhỏ, dần dần hình thành các tinh thể cột và tinh thể bị vỡ, dẫn đến một số lượng lớn các khoảng trống và lỗ hổng, đồng thời sự xâm nhập của oxy tăng cường cho đến khi lớp phủ bị bong ra.Lớp oxit thu được có độ dẫn nhiệt kém và bề ngoài có nhiều màu sắc khác nhau.
PHẦN/5
Tính đồng nhất và độ nhám:
Sự phân bố không đồng đều của bề mặt lớp phủ có thể dẫn đến sự tập trung ứng suất nhiệt cục bộ, làm tăng nguy cơ nứt vỡ.Ngoài ra, độ nhám bề mặt ảnh hưởng trực tiếp đến sự tương tác giữa lớp phủ và môi trường bên ngoài, độ nhám quá cao dễ dẫn đến tăng ma sát với wafer và trường nhiệt không đều.
PHẦN/6
Kích thước hạt:
Kích thước hạt đồng đều giúp độ ổn định của lớp phủ.Nếu kích thước hạt nhỏ, liên kết không chặt, dễ bị oxy hóa và ăn mòn, dẫn đến nhiều vết nứt và lỗ thủng ở mép hạt, làm giảm hiệu quả bảo vệ của lớp phủ.Nếu kích thước hạt quá lớn, nó tương đối thô và lớp phủ dễ bị bong ra dưới tác dụng của nhiệt.
Thời gian đăng: Mar-05-2024