Là một trong những thành phần cốt lõi củathiết bị MOCVD, đế than chì là chất mang và thân gia nhiệt của chất nền, quyết định trực tiếp đến tính đồng nhất và độ tinh khiết của vật liệu màng, do đó chất lượng của nó ảnh hưởng trực tiếp đến việc chuẩn bị tấm epitaxy, đồng thời, với sự gia tăng số lượng sử dụng và thay đổi điều kiện làm việc, nó rất dễ mặc, thuộc về hàng tiêu dùng.
Mặc dù than chì có độ dẫn nhiệt và độ ổn định tuyệt vời nhưng nó có ưu điểm là trở thành thành phần cơ bản củathiết bị MOCVDTuy nhiên, trong quá trình sản xuất, than chì sẽ ăn mòn bột do cặn khí ăn mòn và chất hữu cơ kim loại tồn tại, tuổi thọ của đế than chì sẽ giảm đi rất nhiều.Đồng thời, bột than chì rơi xuống sẽ gây ô nhiễm cho chip.
Sự xuất hiện của công nghệ phủ có thể giúp cố định bột bề mặt, tăng cường độ dẫn nhiệt và cân bằng phân bổ nhiệt, đây đã trở thành công nghệ chính để giải quyết vấn đề này.Cơ sở than chì trongthiết bị MOCVDmôi trường sử dụng, lớp phủ bề mặt nền than chì phải đáp ứng các đặc điểm sau:
(1) Đế than chì có thể được bọc hoàn toàn và mật độ tốt, nếu không thì đế than chì rất dễ bị ăn mòn trong khí ăn mòn.
(2) Độ bền kết hợp với đế than chì cao để đảm bảo lớp phủ không dễ bị bong ra sau nhiều chu kỳ nhiệt độ cao và nhiệt độ thấp.
(3) Nó có độ ổn định hóa học tốt để tránh hư hỏng lớp phủ ở nhiệt độ cao và môi trường ăn mòn.
SiC có ưu điểm là chống ăn mòn, dẫn nhiệt cao, chống sốc nhiệt và ổn định hóa học cao và có thể hoạt động tốt trong môi trường epiticular GaN.Ngoài ra, hệ số giãn nở nhiệt của SiC khác rất ít so với than chì, vì vậy SiC là vật liệu được ưa chuộng để phủ bề mặt nền than chì.
Hiện nay, SiC phổ biến chủ yếu là loại 3C, 4H và 6H, và việc sử dụng SiC của các loại tinh thể khác nhau là khác nhau.Ví dụ, 4H-SiC có thể sản xuất các thiết bị có công suất cao;6H-SiC ổn định nhất và có thể chế tạo các thiết bị quang điện;Do có cấu trúc tương tự GaN nên 3C-SiC có thể được sử dụng để sản xuất lớp epiticular GaN và sản xuất các thiết bị SiC-GaN RF.3C-SiC còn thường được gọi làβ-SiC và công dụng quan trọng củaβ-SiC là vật liệu màng và lớp phủ, vì vậyβ-SiC hiện nay là vật liệu chính để làm lớp phủ.
Thời gian đăng: Nov-06-2023