Mô tả Sản phẩm
Công ty chúng tôi cung cấplớp phủ SiCxử lý dịch vụ bằng phương pháp CVD trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác, để các khí đặc biệt chứa carbon và silicon phản ứng ở nhiệt độ cao thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao, các phân tử lắng đọng trên bề mặt vật liệu phủ, tạo thànhLớp bảo vệ SIC.
Những đặc điểm chính:
1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:
khả năng chống oxy hóa vẫn rất tốt khi nhiệt độ cao tới 1600 C.
2. Độ tinh khiết cao: được tạo ra bằng cách lắng đọng hơi hóa học trong điều kiện khử trùng bằng clo ở nhiệt độ cao.
3. Chống xói mòn: độ cứng cao, bề mặt nhỏ gọn, hạt mịn.
4. Chống ăn mòn: thuốc thử axit, kiềm, muối và hữu cơ.
Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
| Thuộc tính SiC-CVD | ||
| Cấu trúc tinh thể | Giai đoạn FCC | |
| Tỉ trọng | g/cm³ | 3,21 |
| độ cứng | Độ cứng Vickers | 2500 |
| Kích thước hạt | mm | 2~10 |
| Độ tinh khiết hóa học | % | 99.99995 |
| Nhiệt dung | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Nhiệt độ thăng hoa | oC | 2700 |
| Sức mạnh cảm giác | MPa (RT 4 điểm) | 415 |
| Mô-đun của Young | Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC) | 430 |
| Giãn nở nhiệt (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Dẫn nhiệt | (W/mK) | 300 |
