Epit Wax GaN bán dẫn dựa trên silicon

Mô tả ngắn:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. là nhà cung cấp gốm bán dẫn tiên tiến hàng đầu và là nhà sản xuất duy nhất ở Trung Quốc có thể cung cấp đồng thời gốm silicon cacbua có độ tinh khiết cao (đặc biệt là SiC tái kết tinh) và lớp phủ CVD SiC.Ngoài ra, công ty chúng tôi còn cam kết về các lĩnh vực gốm sứ như alumina, nhôm nitride, zirconia, silicon nitride, v.v.

 

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Epitaxy GaN dựa trên silicon

Mô tả Sản phẩm

Công ty chúng tôi cung cấp dịch vụ xử lý lớp phủ SiC bằng phương pháp CVD trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác, để các khí đặc biệt chứa carbon và silicon phản ứng ở nhiệt độ cao để thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao, các phân tử lắng đọng trên bề mặt vật liệu phủ, hình thành lớp bảo vệ SIC.

Những đặc điểm chính:

1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:

khả năng chống oxy hóa vẫn rất tốt khi nhiệt độ cao tới 1600 C.

2. Độ tinh khiết cao: được tạo ra bằng cách lắng đọng hơi hóa học trong điều kiện khử trùng bằng clo ở nhiệt độ cao.

3. Chống xói mòn: độ cứng cao, bề mặt nhỏ gọn, hạt mịn.

4. Chống ăn mòn: thuốc thử axit, kiềm, muối và hữu cơ.

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC

Thuộc tính SiC-CVD

Cấu trúc tinh thể

Giai đoạn FCC

Tỉ trọng

g/cm³

3,21

độ cứng

Độ cứng Vickers

2500

Kích thước hạt

mm

2~10

Độ tinh khiết hóa học

%

99.99995

Nhiệt dung

J·kg-1 ·K-1

640

Nhiệt độ thăng hoa

oC

2700

Sức mạnh cảm giác

MPa (RT 4 điểm)

415

Mô-đun của Young

Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC)

430

Giãn nở nhiệt (CTE)

10-6K-1

4,5

Dẫn nhiệt

(W/mK)

300

Nơi làm việc Semicera
Nơi làm việc Semicera 2
Máy thiết bị
Xử lý CNN, làm sạch bằng hóa chất, phủ CVD
Dịch vụ của chúng tôi

  • Trước:
  • Kế tiếp: